IRF740APBF 产品实物图片
IRF740APBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF740APBF

商品编码: BM0058411211
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
Tube
包装 : 
管装
重量 : 
2.74g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 125W 400V 10A 1个N沟道 TO-220AB-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
5.8
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.8
--
100+
¥4.64
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF740APBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)6.3A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)550mΩ@10V,6.0A
功率(Pd)125W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)36nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.03nF
反向传输电容(Crss@Vds)7.7pF@1.0V工作温度-55℃~+150℃

IRF740APBF手册

IRF740APBF概述

IRF740APBF 产品概述

产品简介

IRF740APBF 是由Vishay Siliconix制造的一款高性能N通道MOSFET(场效应管),广泛应用于高功率和高电压的电子电路中。其设计旨在满足严苛的电源管理需求,适合用于开关电源、DC-DC转换器和大功率驱动电路。IRF740APBF 以其出色的电流承载能力和低导通电阻,已成为电力电子领域的一个重要器件。

基本参数

  • 制造商: Vishay Siliconix
  • 零件状态: 有源
  • FET 类型: N 通道
  • 封装类型: TO-220AB
  • 功率耗散: 125W(在冷却条件下)
  • 漏源电压 (Vdss): 400V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A
  • 导通电阻 (Rds(on)): 最大值为 550 毫欧(在6A和10V条件下)
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 1030pF(在25V条件下)
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 36nC(在10V条件下)
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 4V(在250µA条件下)
  • 栅源电压范围 (Vgs): ±30V

技术规格

IRF740APBF 的结构基于金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)技术,这使得它在电气特性上表现出色。其低导通电阻的特性减少了在高电流条件下的功率损耗,提高了电路的整体效率。与此同时,400V的高漏源电压使其能够处理高电压应用,而其10A的连续漏极电流能力则能满足大部分工业和消费电子应用的需求。

应用领域

由于IRF740APBF 拥有优异的电气性能,它得到了广泛的应用,包括但不限于:

  • 开关电源: 在开关电源设计中,用于高效的电源转换和稳压
  • 直流-直流转换器: 可作为开关元件,实现高效率的电压转换
  • 电机驱动: 在直流电机控制应用中,IRF740APBF 可以用作大功率驱动器
  • 高频开关电路: 在高频开关应用中,该器件可有效减小开关损耗
  • 逆变器: 在太阳能逆变器和其它能源转换应用中表现出色

安装与散热

IRF740APBF 采用TO-220AB封装,适合通孔安装,允许用户方便地在PCB板上进行安装。在高功率应用中,良好的散热管理至关重要。建议使用适当的散热器来充分利用其最大功率耗散能力和保护器件的长期稳定性。

总结

IRF740APBF 是一款功能强大的N沟道MOSFET,它凭借出色的电流承载能力、低导通电阻和高耐压性能,成为电子设计师和工程师在电力电子领域的重要选择。无论是在开关电源、DC-DC转换器还是电机控制中,IRF740APBF都能够提供可靠的性能,为各种电气设备的高效运行提供了支持。 逐渐成为电源转换、驱动和控制系统中的重要器件。