类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 16A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.5mΩ@10V,16A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 600mV@3.5A |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 62nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 36pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 330pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF7456TRPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有优异的电气特性和广泛的应用场合。该器件由知名半导体制造商 Infineon(英飞凌)生产,封装形式为经济紧凑的 SO-8 表面贴装型,专为低电压和高电流应用设计,广泛用于开关电源、马达驱动和电源管理电路。
IRF7456TRPBF 由于其优秀的电气特性,非常适合于多种应用场景,包括但不限于:
采用 IRF7456TRPBF 的设计不仅能够增加电路的效率,同时还有助于减小电路的尺寸。SO-8 封装的设计使得该器件在有限的空间内提供高效能,因此在紧凑的电子设备中尤为合适。高导电性与低导通电阻使得设备在高频开关操作下产生的热量较少,延长了电子设备的使用寿命及稳定性。
综上所述,IRF7456TRPBF 作为一款高效能的 N 通道 MOSFET,具备多种优越的特性,适用于多个行业和应用领域。其出色的电流承载能力、热管理能力以及广泛的工作温度范围,使其成为设计工程师在选择适合其电路设计需求时的理想之选。在未来的电子产品设计中,IRF7456TRPBF 都将继续发挥其独特的价值和作用。