漏源电压(Vdss) | 800V | 连续漏极电流(Id) | 860mA |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.5Ω@10V,0.84A | 功率(Pd) | 30W |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 530pF | 反向传输电容(Crss@Vds) | 90pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:IRFIBE20GPBF N-Channel MOSFET
1. 概述 IRFIBE20GPBF 是一款经过精心设计的 N 通道 MOSFET(场效应晶体管),由全球知名的电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产。作为高压和高效率的开关器件,这款 MOSFET 是电力电子应用中不可或缺的组件,常用于电源管理、逆变器、电动车驱动及其他高压控制应用等。
2. 关键参数
3. 性能特点 IRFIBE20GPBF 采用了先进的 MOSFET 设计,结合高效能的材料和工艺,实现了550V至800V的高电压操作能力,使之在高电源应用中表现卓越。它的低导通电阻不仅减少了导电损耗,而其广泛的温度范围保证了在不同环境下的稳定性和可靠性。此器件特别适用于需要高效能与高可靠性的场合,如开关电源、DC-DC 转换器及电机驱动电路。
4. 应用领域
5. 安装与设计 IRFIBE20GPBF 采用 TO-220-3 封装形式,便于通过通孔技术安装。由于其较高的功率耗散能力,设计工程师可以通过优良的热管理方案确保器件在高负载下的稳定运行。此外,其最大栅极驱动电压的灵活性使得用户能够在不同的驱动电路中使用该器件,确保高效开关操作。
6. 结论 IRFIBE20GPBF 是高压应用中的理想选择,凭借其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围,具有良好的市场前景和应用潜力。VISHAY 提供的这一 MOSFET 能够满足现代电子设备对性能、效率和可靠性的高要求,为电子设计工程师提供稳定且高效的解决方案,是推动各类电力电子应用的重要组成部分。无论是在消费电子、工业设备还是新能源设备中,IRFIBE20GPBF 都以其强大的功能和广泛的适用性,成为设计工程师首选的高性能开关元件。