类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 557A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.5mΩ@10V,100A |
功率(Pd) | 416W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 307nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 19.68nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.575nF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRL40SC228是一款高度集成的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由英飞凌(Infineon)公司制造。该器件采用表面贴装型封装,符合行业标准的D2PAK(TO-263-7),适用于各种高功率和高频率的电力电子应用。其卓越的性能使其成为电源管理、电动机驱动和开关控制等领域的理想选择。
高漏源电压 (Vdss): IRL40SC228具有40V的漏源电压规格,能够满足多种负载条件下的电源需求,使其适合于工业电源和汽车电子应用。
高持续漏极电流 (Id): 在25°C的情况下,IRL40SC228的连续漏极电流可达557A,表明该器件能够处理大电流并适应高功率条件。
低导通电阻: 在10V的栅极驱动电压下,IRL40SC228的最高导通电阻(Rds(on))仅为0.65毫欧(mΩ),这对于降低功耗、提高效率以及减少热损耗至关重要。
良好的栅极电压特性: 该产品的最小阈值电压(Vgs(th))为2.4V,适于低电压驱动应用,提升了系统的响应速度。
广泛的工作温度范围: IRL40SC228的工作温度范围为-55°C至175°C,使其在极端环境下仍能稳定工作,适用于热要求较高的应用场景。
高功率耗散能力: 最大功率耗散为416W,确保在高功率使用情况下依然能够安全稳定运行,适合例如电机驱动和大功率开关等领域。
高输入电容: 在25V下,其输入电容(Ciss)最大值为19680pF,确保在高频操作中保持良好的开关速度。
IRL40SC228采用D2PAK-7封装,具备良好的散热性能和电磁干扰抗性。表面贴装型的设计简化了与PCB的连接,适合高密度电路板的电气布局。
IRL40SC228是一款性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其高电流承载能力、低导通电阻及出色的工作温度范围,能够满足多种严格应用的需求。随着电力电子技术的发展,IRL40SC228作为高效能功率开关的代表,正在逐步成为多种工业及消费电子应用中不可或缺的组件。无论是在电源管理、电动机控制还是在可再生能源系统中,IRL40SC228都表现出较强的适用性和可靠性。