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BSO615N G复制
品牌 :
Infineon(英飞凌)复制
封装 :
未知复制
包装 :
-复制
重量 :
0.808g复制
描述 :
场效应管(MOSFET) 2W 60V 2.6A 2个N沟道 SOIC-8复制
库存 :
0(起订量1,增量1)复制
批次 :
-复制数量 :
X
2.19按整 :
-(1-有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.19
--
2500+
￥2.09
--
37500+
产品参数
产品手册
常见问题
BSO615N G参数
| 数量 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V,2.6A |
| 耗散功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@20uA |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | 输入电容(Ciss) | 380pF |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | N沟道 | 输出电容(Coss) | 120pF |
BSO615N G手册
BSO615N G问题
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