晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 800mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 350mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 75@0.1mA,10V | 特征频率(fT) | 200MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 10nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@150mA,15mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
BSR16 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的高性能 PNP 型晶体管,采用 SOT-23-3 封装,广泛应用于模拟和数字电路的开关控制与放大应用。凭借其优异的参数,该元器件在现代电子电路中占据重要位置,适用于手机、计算机、汽车电子及其他消费类电子产品的设计中。
晶体管类型: BSR16 是一款 PNP 晶体管,适用于需要反向电流控制的场合。
电流容量: 它的集电极电流(Ic)最大值为 800mA,使其能够承受较大的负载电流,适合大多数中小功率的应用场景。
电压特性: BSR16 的集射极击穿电压(Vceo)最大值为 60V,这意味着它可在较高的电压条件下稳定工作,为电路提供良好的安全裕度。
饱和压降: 在不同电流(Ib、Ic)的工作状态下,其 Vce 饱和压降最大值为 1.6V @ 50mA 和 500mA。这一特性确保了在其控制电流时,能够有效减少功耗,提高电路效率。
截止电流: BSR16 的集电极截止电流(ICBO)最大值为 10nA,显示出其在断开状态下的优异表现,这对于高性能电路的稳态操作至关重要。
电流增益: 该晶体管在 150mA 切换和 10V 工作电压条件下的直流电流增益(hFE)最小值为 100,这保证了良好的信号放大能力,在各种放大环节中表现出色。
功率处理能力: BSR16 的最大功率处理能力为 350mW,适应性广泛,可用于多种中小功率应用。
频率特性: 跃迁频率可达 200MHz,使其适合于高速信号处理和高频应用的场合,极大地扩展了其应用范围。
工作温度范围: 该晶体管的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,表现出良好的温度适应性,尤其适合航空航天、军工设备以及高温环境下的应用。
封装类型: 采用 SOT-23-3 表面贴装型封装,小巧且易于焊接,非常适合现代紧凑型电路板设计。该封装形式帮助实现降低总成品的体积和重量,同时提高生产效率。
BSR16 的多种特性使其广泛应用于下列领域:
总的来说,BSR16 是一款在功能性与可靠性之间取得良好平衡的 PNP 晶体管。其丰富的电气参数和广泛的适应性使其成为设计工程师在多项应用中不可或缺的选择。在功能日益复杂的电子设备中,能够依赖 BSR16 来实现高效的电流控制和信号放大,已成为现代电子设计中一种重要的技术解决方案。