BSS84PH6327XTSA2
BSS84PH6327XTSA2参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 170mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 欧姆 @ 170mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 19pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSS84PH6327XTSA2手册
BSS84PH6327XTSA2概述
产品概述：BSS84PH6327XTSA2
概述
BSS84PH6327XTSA2 是一款高性能的 P 通道 MOSFET（绝缘栅场效应管），由著名半导体制造商 Infineon（英飞凌）生产。该器件采用表面贴装型 SOT-23-3 封装，具有广泛的应用前景，适用于各种电子电路及设备中，尤其是在功率管理和开关电路中具有显著的优势。
主要参数
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：最大 60V
- 连续漏极电流（Id）：最大 170mA（25°C）
- 导通电阻（Rds On）：最大 8Ω @ 170mA，10V
- 驱动电压：4.5V，10V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大 2V @ 20µA
- 栅极电荷（Qg）：最大 1.5nC @ 10V
- 栅极-源极电压（Vgs）：最大 ±20V
- 输入电容（Ciss）：最大 19pF @ 25V
- 功率耗散：最大 360mW
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 封装类型：SOT-23-3
特性与优势
高电压和电流额定值：BSS84PH6327XTSA2 能够承受高达 60V 的漏源电压以及 170mA 的连续漏极电流，使其适用于需要处理较大电压和电流的电路，包括电源管理和功率转换应用。
低导通电阻：在较高的栅极电压（10V）下，该器件的导通电阻仅为 8Ω。这一点在开关应用中尤为重要，可以有效降低功耗，提高系统的整体效率。
高温特性：BSS84PH6327XTSA2 能够在 -55°C 至 150°C 的宽广温度范围内稳定工作，适应各种严苛环境。这使得它在航空航天、汽车及其他工业应用中的表现尤为突出。
紧凑的封装设计：采用 SOT-23-3 封装，有助于电路实现小型化设计，并且便于表面贴装，提高组装效率。
优秀的开关特性：低栅极电荷（1.5nC）和低输入电容（19pF）使得 BSS84PH6327XTSA2 在高频率应用中具有快速开关能力。这一特性对于高效开关电源和开关模式电源转换器（SMPS）尤为重要。
P 通道特性：作为 P 通道 MOSFET，BSS84PH6327XTSA2 可以用于反向电源切换和负载开关，提供了灵活的电路设计选择。
应用场景
BSS84PH6327XTSA2 广泛应用于多个电子设备和系统中，例如：
- 电源管理：在电源开关、稳压电源和电池管理系统中充当开关元素，控制电源的流动和分配。
- 开关电路：适合用于各种信号和电源切换应用，例如驱动继电器、LED 灯或电机控制。
- 汽车电子：其高温工作能力和优良的电气特性，适用于汽车内部的控制模块、照明控制，以及其它汽车电子系统。
- 移动设备：由于其小型化封装和高效特性，非常适合用于手机、平板电脑等便携设备中的电源管理。
结论
总之，BSS84PH6327XTSA2 作为一款高性能的 P 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气性能、广泛的应用范围和可靠的工作特性，为工程师们提供了一个优秀的选择。无论是在电源管理、开关电路，还是在严苛环境下应用，BSS84PH6327XTSA2 都能够满足现代电子设计的需求，为系统的高效运作提供强有力的支持。