晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 600mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 35@0.1mA,10V | 特征频率(fT) | 300MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 10uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@500mA,50mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
SMMBT2222ALT1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的高性能NPN晶体管,广泛应用于各种低功耗和高频率的电子电路中。该元器件集合了卓越的电气特性与高可靠性,非常适合用于信号放大、开关操作和其他通用电子应用。
SMMBT2222ALT1G 采用 SOT-23-3(TO-236)封装,作为表面贴装型元器件,其小巧的设计能够降低PCB的占用空间,适应高密度电路设计的需求。这种封装方式可有效提高生产效率,适合自动化生产线,并使得电子设备更加轻便。
SMMBT2222ALT1G 的广泛应用包括:
开关电路:由于其良好的饱和压降特性,非常适合用作电源开关和负载驱动器。
信号放大:凭借其高电流增益,常用于音频放大器和高频放大器,适用于各种音频和无线电频率产品。
高频应用:其300MHz的跃迁频率使其在高频通信及数据传输电路中表现出色。
消费电子:如电视机、音响、手机等设备的开关和放大功能,SMMBT2222ALT1G 也能为其提供支持。
汽车电子:其宽温工作范围使其能够在汽车环境中稳定工作,广泛用于电子控制单元(ECU)等模块。
SMMBT2222ALT1G 是一款功能全面、性能优越的 NPN 晶体管,具备良好的电气特性和适用广泛的应用场景。凭借其高集电极电流、低功耗特性、出色的增益和宽广的工作温度范围,使其成为电子设计工程师的理想选择。在当前电子技术迅速发展的背景下,该器件的应用前景广阔,是所有需要高效开关和放大解决方案的电子设备设计中不可或缺的组件之一。