类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 40A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.8mΩ@10V,20A |
功率(Pd) | 64W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
BUK7K6R8-40E,115 是由 Nexperia(安世)生产的一款高性能 N-通道场效应管(MOSFET),能够在多种应用场景下提供优越的电气性能。该器件采用表面贴装型封装(LFPAK56D),在小型化和高效能方面表现出色,尤其适合用于电源管理、马达驱动、DC-DC 转换以及其他需要高电流和低导通电阻的应用。
低导通电阻:BUK7K6R8-40E,115 的最大导通电阻为6.8毫欧,使其在高电流负载下发热降低,提升了整体效率。此特性对于电源电路和马达驱动来说尤为重要,能够显著降低能量损耗。
高温稳定性:该MOSFET支持宽广的工作温度范围,从-55°C到175°C的性能保证,使其能够在苛刻的环境条件下运行,适合于汽车、工业和航空航天领域的应用。
节省空间:其表面贴装型的设计,配合小型化封装,使其在需要高密度排列的电路板上显得尤为重要。可以有效降低PCB面积,提高设备的集成度。
快速开关特性:BUK7K6R8-40E,115 的栅极电荷/Qg值较低,所需的驱动电流较小,能够实现快速的开关频率。这一特性对于开关电源、RF放大器和其他高频应用来说极其重要。
BUK7K6R8-40E,115 广泛应用于:
BUK7K6R8-40E,115 是一款高效、高可靠的N-通道MOSFET,凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和优化的开关特性,使之成为电源管理、电机控制以及各种高性能应用的理想选择。凭借 Nexperia 的品牌保障和精湛的工艺,该器件能够满足现代电子设备对高性能、可靠性和小型化的需求,适合广泛的市场应用。