BUK7K6R8-40E,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BUK7K6R8-40E,115

商品编码: BM0058415694
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
LFPAK56D
包装 : 
编带
重量 : 
0.119g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 64W 40V 40A 2个N沟道 SOT1205
库存 :
2283(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
2.87
按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.87
--
100+
¥2.4
--
750+
¥2.17
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

BUK7K6R8-40E,115参数

类型2个N沟道漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)40A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6.8mΩ@10V,20A
功率(Pd)64W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@1mA

BUK7K6R8-40E,115手册

BUK7K6R8-40E,115概述

BUK7K6R8-40E,115 产品概述

一、产品简介

BUK7K6R8-40E,115 是由 Nexperia(安世)生产的一款高性能 N-通道场效应管(MOSFET),能够在多种应用场景下提供优越的电气性能。该器件采用表面贴装型封装(LFPAK56D),在小型化和高效能方面表现出色,尤其适合用于电源管理、马达驱动、DC-DC 转换以及其他需要高电流和低导通电阻的应用。

二、主要规格

  1. 装置类型:双 N-通道MOSFET
  2. 封装形式:LFPAK56D(SOT-1205)
  3. 最大漏源电压(Vdss):40V
  4. 连续漏极电流(Id):40A
  5. 导通电阻(Rds(on)):最大6.8毫欧 @ 20A,10V
  6. 最大功率处理能力:64W
  7. 输入电容(Ciss):最大1947pF @ 25V
  8. 栅极电荷(Qg):最大28.9nC @ 10V
  9. 栅源阈值电压(Vgs(th)):最大4V @ 1mA
  10. 工作温度范围:-55°C ~ 175°C

三、特点与优势

  • 低导通电阻:BUK7K6R8-40E,115 的最大导通电阻为6.8毫欧,使其在高电流负载下发热降低,提升了整体效率。此特性对于电源电路和马达驱动来说尤为重要,能够显著降低能量损耗。

  • 高温稳定性:该MOSFET支持宽广的工作温度范围,从-55°C到175°C的性能保证,使其能够在苛刻的环境条件下运行,适合于汽车、工业和航空航天领域的应用。

  • 节省空间:其表面贴装型的设计,配合小型化封装,使其在需要高密度排列的电路板上显得尤为重要。可以有效降低PCB面积,提高设备的集成度。

  • 快速开关特性:BUK7K6R8-40E,115 的栅极电荷/Qg值较低,所需的驱动电流较小,能够实现快速的开关频率。这一特性对于开关电源、RF放大器和其他高频应用来说极其重要。

四、应用场景

BUK7K6R8-40E,115 广泛应用于:

  • 电源管理:用于开关电源、DC-DC转换器等模块,以精准控制能量转换与分配。
  • 马达驱动:适用于各类直流电机或步进电机驱动电路,有效提升扭矩和能效。
  • LED驱动:可用于高效LED驱动电路,尤其是在车载照明和室内照明方面。
  • 功率放大器:在高功率射频(RF)放大器中,优化信号放大效率,增加整体系统性能。
  • 逆变器:在太阳能逆变器等应用中,允许更高的电流传输,从而有效提高能效比。

五、总结

BUK7K6R8-40E,115 是一款高效、高可靠的N-通道MOSFET,凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和优化的开关特性,使之成为电源管理、电机控制以及各种高性能应用的理想选择。凭借 Nexperia 的品牌保障和精湛的工艺,该器件能够满足现代电子设备对高性能、可靠性和小型化的需求,适合广泛的市场应用。