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BUK9K17-60EX 产品实物图片
BUK9K17-60EX 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BUK9K17-60EX

商品编码: BM0058415709
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
LFPAK-56D-8
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 53W 60V 26A 2个N沟道 SOT-1205
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
11.56
按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥11.56
--
100+
¥9.97
--
750+
¥9.49
--
产品参数
产品手册
产品概述

BUK9K17-60EX参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)15.6 毫欧 @ 10A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)26AFET 类型2 N-通道(双)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2223pF @ 25V工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)16.5nC @ 5V漏源电压(Vdss)60V
FET 功能逻辑电平门功率 - 最大值53W
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 1mAFET 类型2 N-通道(双)
FET 功能逻辑电平门漏源电压(Vdss)60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)26A不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)15.6 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 1mA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)16.5nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2223pF @ 25V功率 - 最大值53W
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-1205,8-LFPAK56供应商器件封装LFPAK56D

BUK9K17-60EX手册

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BUK9K17-60EX概述

BUK9K17-60EX 产品概述

基本信息

BUK9K17-60EX 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的高性能场效应管(MOSFET),特点是采用表面贴装型(SMD)设计,在高频开关应用中表现出色。它拥有双 N-通道结构,能够处理高达 60V 的漏源电压,连续漏极电流达 26A,使其在各种电气和电子设备中应用广泛。

主要特性

  1. 额定电压和电流

    • 漏源电压(Vdss):60V
    • 连续漏极电流(Id):26A
  2. 导通电阻

    • 最大导通电阻(Rds(on)):15.6 毫欧(@10A,10V),这确保了该 MOSFET 在开关状态下具有低的功耗和热损耗。
  3. 栅极特性

    • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大值为 2.1V(@1mA),适合逻辑电平门驱动,便于与数字电路兼容。
    • 栅极电荷(Qg):最大值为 16.5nC(@5V),意味着 MOSFET 在开启和关闭切换过程中消耗较低的驱动功率。
  4. 输入电容

    • 输入电容(Ciss):最大值为 2223pF(@25V),这表明该设备在高频应用中可以获得良好的响应性能。

应用场景

BUK9K17-60EX 适用于多种需要高电流和高开关频率的电子设备,包括但不限于:

  • 电动汽车的电源管理系统
  • 开关电源转换器(如 DC-DC 转换器)
  • 直流马达驱动
  • 通信设备
  • 家电与消费电子产品中的功率管理

工作温度和散热

BUK9K17-60EX 的工作温度范围为 -55°C 到 175°C,这使其适用于严苛的环境条件。同时,其最大功率承受能力为 53W,通过合理的散热设计,这款 MOSFET 能够在高功率应用中稳定工作。

封装与安装

该 MOSFET 采用 LFPAK-56D-8 泄漏封装,符合 SOT-1205 标准,适合于自动化的表面贴装制造工艺。这种封装设计不仅节省了空间,还能够提高电路布局的灵活性。

结论

综上所述,BUK9K17-60EX 是一款高效、稳定且多功能的 N-通道 MOSFET,适合各种高电压、高电流应用。其高开关效率、低导通电阻及宽广的工作温度范围,确保了在流行电子设备中的可靠性和性能表现。Nexperia 提供的此款 MOSFET 是工程师在设计高效电源管理解决方案时的重要选择。