安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 15.6 毫欧 @ 10A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26A | FET 类型 | 2 N-通道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2223pF @ 25V | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16.5nC @ 5V | 漏源电压(Vdss) | 60V |
FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 53W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 1mA | FET 类型 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 15.6 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16.5nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2223pF @ 25V | 功率 - 最大值 | 53W |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-1205,8-LFPAK56 | 供应商器件封装 | LFPAK56D |
BUK9K17-60EX 产品概述
BUK9K17-60EX 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的高性能场效应管(MOSFET),特点是采用表面贴装型(SMD)设计,在高频开关应用中表现出色。它拥有双 N-通道结构,能够处理高达 60V 的漏源电压,连续漏极电流达 26A,使其在各种电气和电子设备中应用广泛。
额定电压和电流:
导通电阻:
栅极特性:
输入电容:
BUK9K17-60EX 适用于多种需要高电流和高开关频率的电子设备,包括但不限于:
BUK9K17-60EX 的工作温度范围为 -55°C 到 175°C,这使其适用于严苛的环境条件。同时,其最大功率承受能力为 53W,通过合理的散热设计,这款 MOSFET 能够在高功率应用中稳定工作。
该 MOSFET 采用 LFPAK-56D-8 泄漏封装,符合 SOT-1205 标准,适合于自动化的表面贴装制造工艺。这种封装设计不仅节省了空间,还能够提高电路布局的灵活性。
综上所述,BUK9K17-60EX 是一款高效、稳定且多功能的 N-通道 MOSFET,适合各种高电压、高电流应用。其高开关效率、低导通电阻及宽广的工作温度范围,确保了在流行电子设备中的可靠性和性能表现。Nexperia 提供的此款 MOSFET 是工程师在设计高效电源管理解决方案时的重要选择。