STL60P4LLF6 产品实物图片
STL60P4LLF6 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STL60P4LLF6

商品编码: BM0058423988
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
PowerFlat™(5x6)
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 100W 40V 60A 1个P沟道 PowerFlat-8
库存 :
87(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
5.94
按整 :
卷(1卷有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.94
--
100+
¥4.95
--
750+
¥4.59
--
1500+
¥4.37
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

STL60P4LLF6参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)60A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@4.5V,6.5A
功率(Pd)100W阈值电压(Vgs(th)@Id)11.5V@6.5A
栅极电荷(Qg@Vgs)34nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)3.525nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)238pF@25V工作温度-55℃~+175℃

STL60P4LLF6手册

STL60P4LLF6概述

STL60P4LLF6 产品概述

1. 产品简介

STL60P4LLF6 是来自意法半导体(STMicroelectronics)的一款高性能 P 通道 MOSFET,适用于各种高功率和高效率的电子应用。该 MOSFET 在设计上能够满足对功率、电流控制和热管理的严格要求,使其成为电子电路中不可或缺的元器件之一。这款 MOSFET 采用 PowerFlat™(5x6)封装,便于表面贴装,可以有效地节省空间同时提供良好的散热性能。

2. 技术规格

  • FET 类型: P 通道 MOSFET
  • 漏源电压(Vdss): 最高可达 40V,适应多种工业和消费电子应用的需求
  • 连续漏极电流(Id @ 25°C): 高达 60A,确保在高负载情况下的可靠工作
  • 驱动电压: 支持 4.5V 和 10V,方便与多种控制电路兼容
  • 导通电阻(Rds On): 在 10V 驱动电压下,导通电阻最大值为 14 毫欧,这极大地降低了导通损耗,提高了电路的效率
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为 1V,确保快速开关响应,适合快速开关电路
  • 输入电容(Ciss): 在 25V 工作下,最大输入电容为 3525pF,适合高频信号传输
  • 栅极电荷(Qg): 最大值为 34nC,在 4.5V 驱动下,提供出色的开关性能
  • 功率耗散: 最大功率耗散可达 100W(Tc),确保在高功率应用中的稳定性
  • 工作温度范围: 能承受高达 175°C 的工作温度,适用于严苛环境下的应用
  • 封装类型: PowerFlat™(5x6),提供良好的电气性能和散热能力

3. 应用领域

STL60P4LLF6 MOSFET 的设计使其广泛适用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源管理: 适用于开关电源、DC-DC 转换器和功率放大器中,以提高能效和稳定性。
  • 电动汽车: 在电动汽车的驱动系统和能量管理系统中提供可靠的电流控制。
  • 电机控制: 用于电动机驱动和控制系统,具有高效的功率传递能力,确保电机的平稳运行。
  • 消费电子: 在笔记本电脑、电源适配器及其他消费电子产品中,提供更好的电源管理和热管理解决方案。

4. 性能优点

  • 高可靠性: 由于其高工作温度范围和优越的导通特性,STL60P4LLF6 提供了高度的系统稳定性和可靠性。
  • 低导通损耗: 借助其低 Rds On 值,有效地降低了导通损耗,提高整体系统的能效。
  • 快速开关能力: 其较低的栅极电荷和较低的阈值电压使得 STL60P4LLF6 在快速开关应用中表现优异,适合高频率的操作。

5. 总结

STL60P4LLF6 作为一款出色的 P 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气性能、宽广的应用领域和高效散热设计,是电子工程师在设计高效能电源管理系统和电机控制解决方案时的首选元件。其高功率处理能力和高效率确保了广泛的适用性,适合用于消费电子、工业自动化以及电动汽车等多个领域。由于使用了先进的材料和优化的结构,该 MOSFET 亦在现代电子产品中展示了卓越的性能和可靠性。