类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id) | 6.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@3.2A,10V |
功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 41nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.145nF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STP9NK65Z 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,专为高电压和高功率应用而设计,具备高效率和可靠性。它的额定漏源电压(Vdss)为650V,允许其在多种电力电子应用中运行,尤其适合用于开关电源、逆变器和电机驱动等领域。搭载意法半导体的尖端技术,该 MOSFET 提供了优异的热管理性能和高导通电流,最大连续漏极电流(Id)达到6.4A,适应于严苛的工作环境。
电气特性:
栅极特性:
电容特性:
功耗与温度:
封装信息:
STP9NK65Z MOSFET 可广泛应用于多个领域,包括但不限于:
STP9NK65Z 的优势在于其高电压、高电流承受能力和良好的热管理设计。相较于传统的开关元件,其在开关速度、效率和系统集成度方面具有突出的表现。此 MOSFET 能够运行于更高的功率密度,降低整体电路的体积,同时改善能效,使其成为现代电力电子应用中不可或缺的材料选择。
综合来看,STP9NK65Z 凭借其卓越的电气特性、广泛的应用适用性和可靠的性能表现,成为市场上首选的高压 N 通道 MOSFET 之一。无论是在制造高效的电源系统还是在改善工业设备的能效方面,它都提供了一个强有力的解决方案。对于开发人员和工程师而言,STP9NK65Z 不仅在设计和开发阶段提供了灵活性,还在最终产品中给予了消费者良好的性能体验。