STP9NK65Z 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STP9NK65Z

商品编码: BM0058424315
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 125W 650V 6.4A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.48
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.48
--
100+
¥2.78
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STP9NK65Z参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)6.4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@3.2A,10V
功率(Pd)125W阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)41nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.145nF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STP9NK65Z手册

STP9NK65Z概述

STP9NK65Z 产品概述

产品简介

STP9NK65Z 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,专为高电压和高功率应用而设计,具备高效率和可靠性。它的额定漏源电压(Vdss)为650V,允许其在多种电力电子应用中运行,尤其适合用于开关电源、逆变器和电机驱动等领域。搭载意法半导体的尖端技术,该 MOSFET 提供了优异的热管理性能和高导通电流,最大连续漏极电流(Id)达到6.4A,适应于严苛的工作环境。

技术参数

  1. 电气特性:

    • 漏源电压(Vdss):650V,为高压应用提供强大的支持。
    • 连续漏极电流(Id):6.4A(在叶片温度 Tc 条件下),能轻松应对多种负载需求。
    • 导通电阻(Rds(on)):最大值为 1.2 欧姆(在 3.2A,10V 条件下),确保高效能及低功耗损耗。
  2. 栅极特性:

    • 驱动电压:最大 Rds On,最小 Rds On 为 10V,便于实现高效的驱动控制。
    • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大值为 4.5V(@ 100µA),使得该器件在相对较低的栅极电压下就能快速导通。
    • 栅极电荷(Qg):最大值 41nC(@ 10V),有助于降低开关损耗,提高开关频率。
  3. 电容特性:

    • 输入电容(Ciss):最大值为1145pF(@ 25V),实现快速开关,提高整体效率。
  4. 功耗与温度:

    • 功率耗散:最大限度可达 125W,适应高功率操作。
    • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C,确保广泛的应用场景,高温和极端工作条件下的稳定性。
  5. 封装信息:

    • 安装类型:通孔式 TO-220AB 封装,便于散热和安装。
    • 封装尺寸:TO-220-3,确保在空间受限的情况下仍能高效散热。

应用领域

STP9NK65Z MOSFET 可广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 开关电源:在各种 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器中,用于高效率能量转换。
  • 逆变器:在太阳能逆变器、电动汽车逆变器和其他电源转换器中,以优化功率处理和提高整体效率。
  • 电机驱动:在电动工具、家用电器和工业设备中为电动机提供高负载能力。
  • 焊接设备:在点焊和弧焊中使用,以获得高瞬态电流和可靠性。

性能优势

STP9NK65Z 的优势在于其高电压、高电流承受能力和良好的热管理设计。相较于传统的开关元件,其在开关速度、效率和系统集成度方面具有突出的表现。此 MOSFET 能够运行于更高的功率密度,降低整体电路的体积,同时改善能效,使其成为现代电力电子应用中不可或缺的材料选择。

总结

综合来看,STP9NK65Z 凭借其卓越的电气特性、广泛的应用适用性和可靠的性能表现,成为市场上首选的高压 N 通道 MOSFET 之一。无论是在制造高效的电源系统还是在改善工业设备的能效方面,它都提供了一个强有力的解决方案。对于开发人员和工程师而言,STP9NK65Z 不仅在设计和开发阶段提供了灵活性,还在最终产品中给予了消费者良好的性能体验。