EMD12FHAT2R 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

EMD12FHAT2R

商品编码: BM0058428733
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
其他双极型晶体管(BJT)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.408
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.408
--
500+
¥0.271
--
4000+
¥0.236
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

EMD12FHAT2R参数

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EMD12FHAT2R手册

EMD12FHAT2R概述

EMD12FHAT2R 产品概述

1. 产品介绍

EMD12FHAT2R 是 ROHM(罗姆)公司推出的一款双极型晶体管(BJT),它采用表面贴装型的设计,封装规格为 EMT6,广泛应用于信号放大和开关控制等多种电子电路中。该器件包含一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,具备良好的电流增益和宽频响应特性,适合需要高频操作的应用场景。

2. 关键参数

  • 晶体管类型: 该器件为预偏压式的双极型晶体管,包含一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,能够兼具正反向导通的特点,适用于多种电路配置。

  • 集电极电流 (Ic): 最大集电极电流为 100mA,使得该器件能够处理相对较高的电流负载,适合于大多数常见的应用场合。

  • 基极电阻 (R1): 设置为 47 千欧,通过调节基极电流来控制列入电流的开关。

  • 发射极电阻 (R2): 同样为 47 千欧,确保了稳定的发射极电流,提高了整体性能。

  • DC 电流增益 (hFE): 在 Ic 为 5mA 和 Vce 为 5V 时,hFE 的最小值为 68,意味着该晶体管能够在相对较小的基极电流下实现较大的集电极电流,性能稳健。

  • Vce 饱和压降: 在电流值 500µA 和 10mA 时,饱和压降最大值为 300mV,能够有效降低功耗。

  • 频率性能: 器件的跃迁频率为 250MHz,标志着其在高频下的优良表现,适用于信号处理和通信设备。

  • 功率额定值: 最大功率额定值为 150mW,这使得 EMD12FHAT2R 能够在较高功率环境中运行,适用于大多数常见的消费者电子产品。

3. 封装及安装

EMD12FHAT2R 采用了 SOT-563 / SOT-666 封装形式,以表面贴装技术(SMD)方式进行安装。这种封装类型能够大幅减少 PCB 面积,提升了设计的灵活性和生产效率,尤其适用于空间受限的电子设备,例如手机、平板电脑以及其他便携式设备。

4. 应用领域

凭借其良好的电气特性与适应性,EMD12FHAT2R 可广泛用于以下几个领域:

  • 通信设备: 由于其高频特性,EMD12FHAT2R 特别适合用于音频接口和 RF 放大器等电路中。

  • 信号放大: 在音频和视频信号处理应用中,该晶体管能够提供必要的增益,确保信号质量。

  • 开关电路: 适用于各种数字电路中的驱动控制,是集成电路设计中的重要组成部分。

  • 消费电子: 其小巧的封装和高电流处理能力,使其成为现代消费电子产品的理想选择。

5. 总结

EMD12FHAT2R 由 ROHM(罗姆)公司设计制造,结合了高性能和小尺寸的特性,使其在现代电子设备中占据了重要位置。无论是用于信号放大还是作为开关元件,该器件都能以其可靠的电气特性和稳定性满足设计需求。在日益发展的电子技术领域,EMD12FHAT2R 将继续发挥其作用,助力于创新产品的研发和应用推广。