晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 300V | 功率(Pd) | 15W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@50mA,10V | 特征频率(fT) | 10MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@100mA,10mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
MJD340T4G是ON Semiconductor(安森美)推出的一款高性能NPN晶体管,广泛应用于各种电子电路中,尤其是在功率放大和开关应用中。该器件采用TO-252-3 (DPAK)表面贴装封装,具有优良的热管理特性和宽广的工作温度范围,适合许多工业、消费和汽车电子领域的需求。
MJD340T4G广泛应用于:
在设计电路时使用MJD340T4G时,需考虑以下几点:
MJD340T4G晶体管凭借其优异的电性能和宽广的工作环境适应性,成为很多电子设计优先选择的组件。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域,该器件都能展现出良好的性能和稳定性。随着电子产品向高效率和高性能方向发展,MJD340T4G的应用前景将更加广阔。选择ON Semiconductor的MJD340T4G,您将获得高度可靠与性能卓越的解决方案,助力您的设计成功。