二极管配置 | 1对串联式 | 正向压降(Vf) | 1.25V@200mA |
直流反向耐压(Vr) | 250V | 整流电流 | 225mA |
反向电流(Ir) | 100nA@200V | 反向恢复时间(trr) | 50ns |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
BAS21SLT1G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款高性能开关二极管,采用SOT-23-3(TO-236)表面贴装封装形式,特别适用于宽范围的电子电路应用。其优异的整流特性和快速恢复能力使其成为现代电子设备中不可或缺的重要电子元件。
二极管配置与类型
电流特性
电压特性
速度特性
温度范围
封装特性
BAS21SLT1G 适用于多种电子电路应用,包括但不限于:
开关电路:其快速响应特性和适度的整流能力使其非常适合用于各种开关电源电路,保障电源稳定与高效工作。
信号整流:在音频设备及信号处理电路中,BAS21SLT1G 作为整流二极管,可以有效抑制信号失真,确保信号质量。
保护电路:由于其高反向电压能力,适用于对敏感组件的保护电路,能够避免过电压带来的潜在损害。
高频应用:其快速恢复特性使得在高频应用场景中表现出色,例如高频开关电源和通信设备。
BAS21SLT1G 的优势在于其出色的参数组合—较高的反向电压、低反向泄漏电流以及快速的反向恢复时间。这些特性使得它在众多二极管中脱颖而出。其广泛的工作温度范围进一步增强了其在多种应用环境中的适用性。
综上所述,BAS21SLT1G 是一款集成了多种优异性能的开关二极管,适用于多样的应用领域。它的可靠性、高效性以及出色的电气特性,确保它成为各类电子设计中的理想选择。无论是在消费电子还是工业应用中,BAS21SLT1G 都能够提供稳定可靠的性能,帮助工程师更好地满足设计需求。