晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 5A |
集射极击穿电压(Vceo) | 450V | 功率(Pd) | 35W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 14@300mA,5V | 特征频率(fT) | 13MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@2.5A,500mA |
工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
MJF18004G 是一款高性能的 NPN 型功率晶体管,广泛应用于高功率放大器和开关电源等电力电子领域。采用 TO-220FP 封装,具有卓越的散热性能和电气特性,尤其适合于需要高电流和高电压操作的应用场景。该器件由知名半导体制造商 ON Semiconductor(安森美)生产,凭借其优良的功率处理能力和可靠性,为工程师和设计师提供了高效的解决方案。
MJF18004G 的高电压和高电流特性使其非常适合用于:
在使用 MJF18004G 进行电路设计时,需要考虑以下几个因素:
MJF18004G 是一款技术先进、性能卓越的 NPN 功率晶体管,广泛应用于各种高功率和高电压的电力电子产品。凭借ON Semiconductor的优质制造工艺、优秀的电气特性和适应严酷环境的能力,它为设计者提供了一个可靠的解决方案,在现代电子设计中起到重要的作用。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子领域,MJF18004G 都是理想的选择。