漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id) | 2A |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 220mΩ@4.5V,1.7A | 功率(Pd) | 900mW |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.6nC@15V |
输入电容(Ciss@Vds) | 282pF@15V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FDC6333C 是由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的一款高效能场效应晶体管(FET)。采用SuperSOT™-6封装,FDC6333C 设计用于低功耗、高性能的逻辑电平开关应用,广泛应用于消费电子、工业控制和通讯设备中。
FDC6333C 具有 N 和 P 沟道 FET 类型,适合不同应用需求。以下是其主要技术参数:
FDC6333C 使用SuperSOT™-6封装,提供了更小的体积和较低的热阻,使得元件在高密度PCB上也能获得良好的散热效果。这种表面贴装型设计使其适合现代电子设备的自动组装工艺,高效率提高了生产力和降低了成本。
FDC6333C 的设计使其在多种应用场景中都表现出色,主要包括但不限于:
FDC6333C 的性能特点使其在市场上具有显著的竞争优势:
FDC6333C 是一款功能强大、高效能的场效应晶体管,适合用于广泛的应用领域。无论是在消费电子、工业控制还是通讯设备中,FDC6333C 都能提供出色的性能表现。其高效能、小体积以及优良的热稳定性使其成为设计者的理想选择。通过使用FDC6333C,设计工程师能够在提高功能与可靠性的同时,简化电路设计,降低成本。