晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 200mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 15V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 40@10mA,1V | 集电极截止电流(Icbo) | 400nA |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA,1mA | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
MMBT2369LT1G 产品概述
MMBT2369LT1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的 NPN 型双极结晶体管(BJT),其主要用于各种电子电路中的信号放大与开关应用。凭借其卓越的性能参数和广泛的应用适应性,MMBT2369LT1G 成为设计师们的热门选择,适用于要求较高的电子项目。
MMBT2369LT1G 的电气特性非常出色,能够在多种应用环境中高效工作。以下是该晶体管的一些重要参数:
MMBT2369LT1G 的最大功率额定为 225 mW,这使得它能够被广泛应用于低至中等功率的电路设计中。该晶体管的工作温度范围为 -55°C 到 150°C (TJ),确保了在极端温度条件下良好的性能,适用于汽车、工业和消费电子等要求严格的环境。
MMBT2369LT1G 的封装形式为表面贴装 SOT-23-3(TO-236),这种紧凑型封装设计适合于现代电子设备的小型化需求。SOT-23-3 封装使得该器件不仅在电路板上占用空间小,而且在高密度布局中容易焊接和固定,有助于提升生产效率。
凭借上述优越的性能参数,MMBT2369LT1G 广泛应用于多种电子电路设计中,包括但不限于:
综上所述,MMBT2369LT1G 是一款多功能、高性能的 NPN 晶体管,适用于多种电子应用。其良好的电流、电压和功率规格,再加上高的工作温度容限和紧凑的封装设计,使得它成为电子工程师在设计过程中不可或缺的组件。这款晶体管不仅能满足日常的电子需求,还是复杂电路中信号忠实放大的理想选择。