晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 200mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 250@100uA,5V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@100mA,5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
MMBT6428LT1G是一款高性能NPN型的双极性晶体管,专为多种电子应用设计,具有出色的电流增益和工作效率。其主要性能参数包括:集电极最大电流为200mA,集射极最大击穿电压为50V,以及频率跃迁可达700MHz,展现了在高频应用中的优异表现。这种晶体管的工作温度范围广泛,包括-55°C至150°C,适用于恶劣环境的电子产品。
MMBT6428LT1G广泛应用于多种领域,包括:
总体而言,MMBT6428LT1G是一款卓越的NPN晶体管,适合多种应用场景,凭借其灵活的性能与可靠的工作特性,为电子设计师提供了广泛的应用可能性。无论是用于音频放大、信号处理,还是在复杂的开关电路中,该元件皆可生成稳定输出并满足现代电路设计的需求。随着对电子产品性能提高的追求,MMBT6428LT1G无疑是一个值得推荐的选择。