二极管配置 | 独立式 | 稳压值(标称值) | 22V |
反向电流(Ir) | 100nA@17V | 稳压值(范围) | 20.9V~23.1V |
功率(Pd) | 225mW | 阻抗(Zzt) | 29Ω |
产品概述:MMBZ5251BLT1G 齐纳二极管
MMBZ5251BLT1G 是由安森美(ON Semiconductor)公司生产的一款表面贴装型稳压二极管。作为一款高性能的齐纳二极管,MMBZ5251BLT1G 主要用于提供稳压、过压保护和电流限制等功能,广泛应用于电源管理、信号调理以及各种电子设备的保护电路中。
标称齐纳电压(Vz): 22V,允许的小范围变动在 20.9V 至 23.1V 之间(容差 ±5%)。该特性使其非常适合用于需要精确电压控制的应用场景。
最大功率: MMBZ5251BLT1G 的最大功率为 225mW,能够承受一定的功率负荷而不导致过热或损坏。这在设计电源电路时尤为重要,可以确保设备的可靠性及稳定运行。
阻抗(Zzt): 在其标称状态下,MMBZ5251BLT1G 的最大阻抗为 29 Ω。这一参数能够影响齐纳二极管的动态响应能力,使其能够更高效地响应电压波动。
反向泄漏电流: 在 17V 时,其反向泄漏电流仅为 100nA,这对于高压应用而言是个非常理想的特性,能够有效地减少不必要的功耗。
正向电压(Vf): 在 10mA 的正向电流下,Vf 为 900mV,这意味着在常规应用中其正向电流特性良好,适合与其他电子元件配合使用。
MMBZ5251BLT1G 的工作温度范围为 -65°C 到 150°C,这使得其可在恶劣环境条件下稳定工作。这样的高温适应性特别适合航空航天、汽车电子及工业设备等要求苛刻的应用场景。
本器件采用 SOT-23-3 封装形式,具有良好的热管理特性及较小的占板面积。表面贴装的设计使其能够被快速集成到现代电路板中,提高了生产效率。此外,SOT-23 封装的低英寸外形有助于实现更紧凑的电子设计。
MMBZ5251BLT1G 齐纳二极管的应用领域非常广泛,包括但不限于:
综上所述,MMBZ5251BLT1G 齐纳二极管是一款具有优良性能和广泛应用前景的重要电子元器件。其低反向泄漏电流、高温适应性、合理的功率和电压特性,使其成为敏感电路设计和稳压电源解决方案的理想选择。随着电子设备对小型化、高性能和高可靠性要求的不断提升,MMBZ5251BLT1G 的市场需求将持续增长,成为现代电子设计中不可或缺的一部分。