FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8 毫欧 @ 14.9A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 88nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 9600pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 1.6W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
1. 产品简介
BSO201SPHXUMA1 是由知名半导体制造商 Infineon(英飞凌)推出的一款高性能 P 通道 MOSFET。这款 MOSFET 被广泛应用于电源管理、电机驱动及其他功率开关应用中,因其优异的电气特性和可靠性赢得了广大电子工程师的青睐。基于 OptiMOS™ 技术,此系列产品在国家标准与工程应用中的性能需求上脱颖而出。
2. 基本特性
BSO201SPHXUMA1 属于 P 通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其主要参数和特性如下:
3. 封装与安装
BSO201SPHXUMA1 的封装类型为 SO-8,安装方式为表面贴装型(SMD),这使得其适合紧凑型电路板布局。SO-8 封装在尺寸上相对较小,有助于降低总体设计的空间需求,尤其是在对面积与重量要求较高的消费电子产品和工业设备中。
4. 应用场景
BSO201SPHXUMA1 广泛应用于以下领域:
5. 性能与优势
与传统的 P 通道 MOSFET 相比,BSO201SPHXUMA1 利用英飞凌的 OptiMOS™ 技术,提供了更低的导通电阻和更高的效率。这不仅提升了功率转换效率,也减少了发热量,有效延长了设备的使用寿命。此外,器件具有高可靠性与耐用性,即便在极端温度和电气环境下也能表现稳定。
同时,该器件还具有良好的开关性能:低栅极电荷使得开关速度快,适合高频率应用,能够满足现代电子产品对高频率、高效率及高密度封装的需求。
6. 总结
BSO201SPHXUMA1 是一款性能优越的 P 通道 MOSFET,凭借其优秀的电气参数及广泛的应用领域,成为了工程师在设计现代电源和驱动电路时的重要选择。随着电源效率和设备小型化趋势的不断发展,该 MOSFET 在未来的电子元器件市场中将继续保持竞争力。