MMSZ5262BT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMSZ5262BT1G

商品编码: BM0058433007
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOD-123
包装 : 
编带
重量 : 
0.036g
描述 : 
稳压二极管 独立式 51V 48.45V~53.55V 100nA@39V SOD-123
库存 :
11653(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.258
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.258
--
200+
¥0.166
--
1500+
¥0.145
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMSZ5262BT1G参数

二极管配置独立式稳压值(标称值)51V
反向电流(Ir)100nA@39V稳压值(范围)48.45V~53.55V
功率(Pd)500mW阻抗(Zzt)125Ω

MMSZ5262BT1G手册

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MMSZ5262BT1G概述

产品概述:MMSZ5262BT1G 稳压二极管

一、基本信息

MMSZ5262BT1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的稳压二极管,采用表面贴装型(SMD)设计,封装形式为 SOD-123。该器件在电子电路中主要用于提供稳定的电压来源,以满足各种电压稳定性要求的应用。

二、技术参数

  1. 工作温度范围:MMSZ5262BT1G 工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,适合于各种恶劣环境下的应用,尤其在工业和航空航天领域表现出色。

  2. 齐纳电压:该二极管的标称齐纳电压(Vz)为 51V,工作电压范围在 48.45V 到 53.55V 之间,适合需要此电压范围内电压稳压的电路设计。

  3. 反向泄漏电流:在额定电压 39V 条件下,反向泄漏电流仅为 100nA,这表明其在高电压操作时具有良好的阻漏性能,能够有效防止不必要的电流流失。

  4. 正向电压:在 10mA 的正向电流条件下,正向电压(Vf)为 900mV,显示出该器件在工作时的低导通电压,有助于提高电路的能效。

  5. 阻抗特性:该器件的最大阻抗(Zzt)为 125Ω,提供了良好的时域响应,适用于高频信号处理。

  6. 功率最大值:MMSZ5262BT1G 的最大功率为 500mW,意味着它可以处理适中的功率负载,同时优良的热管理特性也可延长其使用寿命。

  7. 容差:器件的容差为 ±5%,确保在制造过程中对齐纳电压和性能特性的控制,便于设计工程师对其集成的可靠性进行评估。

三、应用场景

MMSZ5262BT1G 稳压二极管广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理:在电源模块中,MMSZ5262BT1G 可用于过压保护、稳压输出及电流限制,以保障电源系统的安全运行。

  2. 信号调理:在信号处理电路中,该器件可用于滤波和稳压,提高信号的稳定性和准确性。

  3. 汽车电子:由于可工作于高温环境,MMSZ5262BT1G 非常适合在汽车电子设备中使用,保护关键组件,延长寿命。

  4. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,MMSZ5262BT1G 可确保各种传感器和执行器的稳定运行,是关键功能模块的重要组成部分。

  5. 通信设备:在无线和有线通信设备中,稳压二极管的应用可以有效减少信号失真,提升通信质量。

四、结论

MMSZ5262BT1G 是一款性能卓越的稳压二极管,凭借其广泛的工作温度范围、低反向泄漏电流和稳定的齐纳电压,适用于多种高要求的电子应用。无论是在电源管理、信号调理,还是在汽车和工业领域,该器件都能提供可靠的电压稳定解决方案。其 SOD-123 封装形式也为设计师在紧凑设计中提供了更多便利,使得 MMSZ5262BT1G 成为现代电子产品中的理想选择。