BUK7S1R0-40HJ

产品概述：BUK7S1R0-40HJ N通道MOSFET

BUK7S1R0-40HJ是一款高性能的N通道MOSFET，专为需要高效率和高电流承载能力的各类电子应用而设计。该器件由知名半导体制造商Nexperia（安世）生产，采用了优质的LFPAK88（SOT-1235）封装，具有出色的热管理性能和空间效率，适合于各类紧凑型电路设计。

技术规格： 本产品的主要电气参数如下：

• 漏源电压（Vdss）：该MOSFET在工作时的最大漏源电压可达40V，使其能够应对多种低压环境下的应用。
• 持续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下，BUK7S1R0-40HJ能够支持高达325A的持续漏极电流，这为电源管理和电动机驱动等高电流应用提供了优越的性能。
• 导通电阻（Rds(on)）：当在10V的栅极驱动电压和25A的漏极电流下，其最小导通电阻仅为1毫欧，确保在高电流情况下能有极低的功耗。
• 栅极电压（Vgs）：推荐的栅极驱动电压为10V，允许设备在快速开关应用中实现低导通电阻与高效率。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在1mA漏极电流下，最大阈值电压为3.6V，适合与低压控制信号兼容的应用设计。
• 功率耗散：器件最大功率耗散为375W，具备良好的热管理能力，适合长时间工作在高功率环境中。

工作温度范围与可靠性： BUK7S1R0-40HJ具备宽广的工作温度范围，能够在-55°C到175°C之间稳定运行，适合于航空航天、汽车及工业环境中对温度敏感的应用。这种高可靠性使该MOSFET成为极端环境下使用的理想选择。

应用领域： BUK7S1R0-40HJ广泛应用于：

1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源开关及UPS系统等。
2. 电动机驱动：在电动汽车和工业电机驱动系统中承担关键角色。
3. LED驱动：用作高效LED驱动解决方案中的开关元件。
4. 高频开关应用：其低栅极电荷（Qg最大值为137nC @ 10V）使其在高频开关应用中表现出色，适合转换和逆变器设计。

封装与安装： 其LFPAK88（SOT-1235）表面贴装封装设计，方便在自动化生产线进行PCB安装，有效节省空间并提升散热性能。设计上的紧凑性和低电阻特性，使其特别适合现代化电路设计中对性能和尺寸的双重需求。

总结： BUK7S1R0-40HJ是一款功能强大且可靠的N通道MOSFET，凭借其高电流承载能力、低导通电阻和宽广工作温度范围，适合多种严苛的应用场景。无论是在高效电源管理、工业电动机驱动或高频转换领域，该MOSFET都能显著提升整体系统性能，是电子设计工程师优先考虑的元件之一。选择BUK7S1R0-40HJ，您将获得一款能够有效提升设计效率和可靠性的优质MOSFET解决方案。