类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 4.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@10V,4.5A |
功率(Pd) | 1.97W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.2nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 696pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 44pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP6110SFDF-7 是由美台(DIODES)公司推出的一款高性能P通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),采用先进的U-DFN2020-6封装,具有出色的电气特性和宽广的工作温度范围,适用于各种低压和中压电源管理应用。
DMP6110SFDF-7的主要规格包括漏源电压(Vdss)为60V,能够承受最大4.2A的连续漏极电流(Id)在25°C的环境下运行。这些特性使其在电源开关、同步整流和驱动电路等应用中具有广泛的适用性。
技术参数概述:
高效能:DMP6110SFDF-7 具有低导通电阻(Rds On)特性,可以显著降低功耗,提升电源效率,尤其适合在高频开关电源应用中发挥效用。
宽工作温度范围:该器件的工作温度范围涵盖-55°C至150°C,保证其在严苛环境中的可靠性和耐用性,适用于汽车、工业和消费电子产品等多个领域。
紧凑封装:采用U-DFN2020-6封装,DMP6110SFDF-7 提供了优良的散热性及更小的布局空间,适合现代电子设计对尺寸和性能的高要求。
优良的动态特性:器件的输入电容(Ciss)和栅极电荷(Qg)参数优化,在高开关频率应用中,能够帮助提高整体系统效率和响应速度,减少开关损耗。
DMP6110SFDF-7 特别适用于以下场景:
DMP6110SFDF-7 是一款性能强大的 P 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、宽温度范围和紧凑封装设计,成为各类高效能电源管理解决方案中的理想选择。无论在消费电子、汽车电子,还是工业自动化设备中,都能够提供可靠的性能,帮助设计师实现高效能、高可靠性的电路设计。对于寻求高品质MOSFET的设计工程师来说,DMP6110SFDF-7 无疑是值得信赖的选择。