类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
连续漏极电流(Id) | 5.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 43mΩ@10V,3.1A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.647nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 30pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF7815TRPBF 产品概述
IRF7815TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)出品的 N 通道 MOSFET,它专为需要高电压和高电流的应用而设计。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,具体为 8-SOIC(0.154" x 3.90mm),使其在现代电子设计中具备了广泛的适用性。IRF7815TRPBF 的主要参数包括漏源电压(Vdss)高达 150V,最大连续漏极电流(Id)达到 5.1A,使其非常适用于电源开关和功率放大等电路。
电气特性:
电容特性:
功率与耗散:
工作温度范围:
IRF7815TRPBF 的设计使其成为各种应用的理想选择,尤其在如下场景中表现卓越:
总体而言,IRF7815TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,凭借其优越的电气特性与宽广的工作温度范围,使其在多种高压高电流的应用中表现卓越。凭借表面贴装技术,设计师能够轻松集成到现代电子产品中,以实现更小的体积和更高的效率。无论是在功率转换、负载开关还是电机驱动等领域,IRF7815TRPBF 均是值得信赖的选择。