
| 极性 | 单向 | 反向截止电压(Vrwm) | 12V |
| 钳位电压 | 19V | 峰值脉冲电流(Ipp) | 12A@8/20us |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 300W@8/20us | 击穿电压 | 15.75V |
| 反向电流(Ir) | 1uA | 通道数 | 双路 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 防护等级 | IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2 |
| 类型 | ESD | Cj-结电容 | 95pF |

SM12T1G是一款高效静电放电(ESD)保护器件,由著名企业安森美(ON Semiconductor)制造,采用SOT-23-3封装(TO-236),专为各种电子应用提供强大而可靠的过压保护。作为一种齐纳二极管,SM12T1G设计用于保护敏感电子元件免受瞬态电压和静电放电的影响,确保电子设备在严苛环境下的安全运行。
电压特性:
电流水平:
工作温度:
封装和安装:
SM12T1G适用于多种电子技术应用,特别是在需要保护敏感组件的环境中。它非常适合以下字段:
SM12T1G是一款性能卓越的静电放电保护器件,凭借其优越的电压特性和宽广的工作温度范围,适应了当前电子领域日益增长的保护需求。无论是在消费电子、工业设备,还是汽车电子领域,SM12T1G都展现了出色的功能性和可靠性,是设计工程师在电压保护方面的理想选择。通过使用SM12T1G,用户可以有效保证其产品的安全性和稳定性,提升整体系统的可靠性。