SUD19P06-60L-E3

SUD19P06-60L-E3 产品概述

概述

SUD19P06-60L-E3 是一款由威世（VISHAY）公司生产的 P 通道 MOSFET，具有高性能的电气特性和广泛的应用场景。作为一款表面贴装型的功率场效应管，其设计旨在满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。其额定漏源电压（Vdss）为 60V，连续漏极电流（Id）可达 19A，适合用作开关元件，信号放大器，以及功率转换等多种应用。

关键参数

• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
• 漏源电压 (Vdss): 60V
• 连续漏极电流 (Id): 19A（在 25°C 时，最大 Tc）
• 导通电阻 (Rds On): 60 毫欧 @ 10A，10V
• 栅源电压 (Vgs): 最大 ±20V
• 功率耗散: 最大 2.7W（环境温度 Ta），46W（结温 Tc）
• 工作温度范围: -55°C ~ 175°C（结温 TJ）
• 安装类型: 表面贴装
• 封装类型: TO-252（D-Pak）

性能特点

SUD19P06-60L-E3 的设计旨在提供优越的电气性能。其最大导通电阻 (Rds On) 在 10A 时仅为 60 毫欧，使得这款 MOSFET 具有极低的导通损耗，适合高效能的开关电源应用。在支持较高的栅极驱动电压（4.5V 到 10V）下，能够实现快速的开关速度，从而提高整个电路的工作效率。此外，其最大 Vgs (±20V) 的规格确保了在多种环境条件下的可靠操作。

应用场景

由于 SUD19P06-60L-E3 具有宽广的工作温度范围和优秀的电气特性，使其在多个领域具有广泛的应用潜力。常见的应用包括但不限于：

• 开关电源和 DC-DC 转换器
• 电机驱动控制
• 负载开关
• 现场可编程门阵列 (FPGA) 和其他数字电路中的功率管理
• 电动车辆的动力管理系统 这些应用均要求在较高的电流和电压条件下可靠工作，SUD19P06-60L-E3 以其杰出的性能满足了这一需求。

可靠性和耐用性

SUD19P06-60L-E3 具有极高的耐温性能，操作范围从 -55°C 到 175°C，确保在严苛环境下也能稳定工作。其散热能力强，Tc 下可承受至多 46W 的功率耗散，这使得在高负载条件下的冷却更为有效，保证组件的长期可靠性。

结论

SUD19P06-60L-E3 是一款高效且可靠的 P 通道 MOSFET，广泛适用于各种现代电子设备。其卓越的性能参数和坚固的结构设计，使之成为工业、消费电子、连接器和电源管理等领域的理想选择。使用 SUD19P06-60L-E3 可以为设计师提供灵活性，满足不同市场对高效能和低功耗的要求，从而提升最终产品的竞争力。