类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 17A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5mΩ@10V,17A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.7nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.2nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 49pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
BSC0993NDATMA1 是由全球知名半导体制造商英飞凌(Infineon)推出的一款高性能 N 沟道场效应管(MOSFET),具有出色的电流承载能力和低导通电阻,适用于各种高效能电源管理、开关电源及其他功率转换应用。
FET 类型:该产品为双 N 沟道 MOSFET,提供两个独立的 N 沟道通道,适合并行工作,能够提升整体电流承载能力,确保更好的性能和可靠性。
电流参数:
阈值电压:Vgs(th) 最大值为 2V @ 250µA,允许在较低的门源电压下启动开关,确保更低的功耗和更高的效率。
工作温度范围:此 MOSFET 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,适用于各种苛刻的工业和汽车应用环境。
封装类型:采用表面贴装型封装(PowerTDFN),其紧凑且高效的结构设计能够提升单位面积内的功率密度,便于高效散热和电路板设计。
BSC0993NDATMA1 的广泛应用场景包括但不限于:
与同类产品相比,BSC0993NDATMA1 具有以下竞争优势:
BSC0993NDATMA1 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高效电源和功率转换应用。凭借其高电流能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围,该产品旨在满足当今电子设备对性能、效率和可靠性不断上升的要求。无论是在工业、汽车还是消费电子领域,BSC0993NDATMA1 都能够为设计工程师提供可靠的解决方案,助力实现高效能产品的开发与应用。