BSS123IXTSA1
BSS123IXTSA1参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 190mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6Ω@190mA,10V |
| 功率(Pd) | 500mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@13uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 630pC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 15pF@50V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
BSS123IXTSA1手册
BSS123IXTSA1概述
BSS123IXTSA1 产品概述
一、产品简介
BSS123IXTSA1是由Infineon Technologies推出的高性能N沟道MOSFET，属于其OptiMOS™系列。该产品采用了先进的MOSFET技术，具有优异的电气特性和可靠的性能，尤其适合于中等功率应用与高频开关电路的设计。BSS123IXTSA1完美结合了较高的漏源电压、低导通电阻及宽广的工作温度范围，满足各种电子设计的需求。
二、关键技术参数
- 制造商: Infineon Technologies
- 系列: OptiMOS™
- FET类型: N通道MOSFET
- 漏源电压(Vdss): 100V
- 连续漏极电流(Id): 190mA (在25°C环境温度下)
- 导通电阻(Rds On): 最大值6Ω (在190mA和10V Vgs时)
- 栅极驱动电压: 4.5V（最小Rds On），10V（最大Rds On）
- 栅源阈值电压(Vgs(th)): 最大值1.8V @ 13µA
- 输入电容(Ciss): 最大值15pF @ 50V
- 栅极电荷(Qg): 最大值0.63nC @ 10V
- 功率耗散: 最大值500mW
- 工作温度范围: -55°C至150°C
- 封装形式: SOT-23-3 (TO-236-3，SC-59)
三、特性与优势
高效能与稳定性: BSS123IXTSA1具备高达100V的漏源电压，使其适合高电压应用。而其在190mA的工作电流条件下导通电阻仅为6Ω，大大降低了能量损耗，有助于提升电源效率。
宽广的工作温度范围: 该MOSFET支持-55°C至150°C的工作温度范围，使其在极端环境中也能保持稳定的性能。这对于汽车电子、航空航天及工业控制等要求高温稳定性的应用场景尤为重要。
小型封装设计: SOT-23-3封装设计不仅适应现代电子设备对小型化的要求，还可以有效减少PCB占用空间，便于高密度布局。这种紧凑性使得BSS123IXTSA1适用于便携式设备和空间受限的应用。
低栅极电荷及输入电容: 该器件的栅极电荷和输入电容值较低，意味着在高频开关应用中能够实现快速切换，提高电路的工作效率。这是高频开关电源、电机驱动及切换调节器等应用的理想选择。
四、应用场景
BSS123IXTSA1广泛应用于电子行业的多个领域，以下是一些主要应用场景：
DC-DC转换器：由于其高导通效率和低功耗，BSS123IXTSA1非常适合用于DC-DC转换器，改善转换效率和热管理。
开关电源：该MOSFET出色的开关性能使其在开关电源中用于实现高效的电能转换，特别是在高频电源中表现优异。
电机驱动：在电机控制和驱动系统中，BSS123IXTSA1能够支持便捷的开关操作，优化电机的启动、停止和速度调节。
负载开关：用于控制负载的开关模式，适合用于各种低功耗负载的智能开关应用中。
汽车电子：考虑到其宽广的工作温度适应能力，BSS123IXTSA1在汽车电子系统中，诸如电源管理模块和传感器应用广泛。
五、结论
总之，BSS123IXTSA1是一个面向多个应用领域的高效率N沟道MOSFET，为现代电子设计提供了一种可靠而强大的解决方案。其结合了高性能、低功耗及优异的热特性，适合用于各类中高功率电源和开关电路设计。当需要高性能、高效率的MOSFET时，BSS123IXTSA1无疑是一个值得考虑的选项。