类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 300mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.7mΩ@4.5V,0.29A |
功率(Pd) | 360mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@34uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.79nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 55pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
基本信息
ISS17EP06LMXTSA1是由英飞凌科技(Infineon Technologies)公司出品的一款高性能MOSFET,属于其OptiMOS™系列。这款P型通道场效应晶体管专为各种低功耗应用而设计,具备优良的电气特性和高效率,适用于不同的电子电路和系统。
关键参数
性能特点
ISS17EP06LMXTSA1在多种工作环境下表现出色,具备良好的热管理性能和卓越的电气特性。其能够承受高达60V的漏源电压,使其适用于一些较高电压的应用场景。此外,其300mA的连续漏极电流在多种电子设备中表现出理想的加载能力。
导通电阻(Rds On)为1.7Ω,这对于节能应用尤其重要,可以有效降低功耗并减少热量产生。其卓越的功率耗散能力(最高360mW)确保了该MOSFET在长时间运行过程中的稳定性和可靠性,而宽广的工作温度范围则使其适应各种苛刻的工作环境。
应用场景
ISS17EP06LMXTSA1非常适合于用于高效能电源管理的应用场景,例如:
封装与安装
ISS17EP06LMXTSA1采用表面贴装型(SMD)封装,封装类型为SOT-23-3。这种小尺寸封装使其能够与现代电子电路设计相适应,尤其在紧凑型设备中,为电路设计带来了极大的灵活性。安装效率高,适用于自动化流水线的快速生产。
总结
综上所述,ISS17EP06LMXTSA1是一款高效、可靠的P通道MOSFET,凭借其出色的电气性能和广泛的工作温度范围,适合多种高效能的电子应用。无论是用于电源管理、便携式设备,还是在电机控制领域,它都展现出卓越的性能和极强的适应性,是设计工程师们在选择电子元件时值得考虑的重要选项。