DMN2004DMK-7 产品实物图片
DMN2004DMK-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMN2004DMK-7

商品编码: BM0082504634
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT26
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 225mW 20V 540mA 2个N沟道 SOT-26
库存 :
4502(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.918
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.918
--
3000+
¥0.87
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN2004DMK-7参数

类型2个N沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)540mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)700mΩ@2.5V,500mA
功率(Pd)225mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)150pF反向传输电容(Crss@Vds)20pF
工作温度-65℃~+150℃

DMN2004DMK-7手册

DMN2004DMK-7概述

DMN2004DMK-7 产品概述

DMN2004DMK-7是一款高性能的双N通道场效应管(MOSFET),特别设计用于低电压和逻辑电平驱动应用。该元件由国际知名的电子元器件制造商DIODES(美台)出品,凭借其卓越的性能和可靠性为广泛的电子应用提供了强有力的支持。

基本参数与特性

DMN2004DMK-7的主要特性包括:漏源电压(Vdss)为20V,连续漏极电流(Id)可达540mA。其导通电阻(Rds(on))在极限条件下为550毫欧,这意味着即使在较高的电流下,该MOSFET仍能保持较低的功率损耗。这一特性使其在需要高效能传输的电源管理和开关应用中表现出色。

器件的阈值电压(Vgs(th))为1V(在250µA电流下),允许其在低电压下轻松开关,这对于逻辑电平的电路设计尤为重要。此外,输入电容(Ciss)最大值为150pF,确保开关速度快,适合高频应用。

功率和温度范围

DMN2004DMK-7的最大功率为225mW,适合于功率较小但对效率要求较高的电路。该元件的工作温度范围为-65°C至150°C,具有良好的环境适应性,能够应对严苛的工作环境,为各种工业、消费电子和汽车电子等领域的应用提供了广泛的灵活性。

封装与安装

DMN2004DMK-7采用SOT-26封装,这种表面贴装型设计不仅节省了电路板空间,还使组装过程更加简便,提高了生产效率。SOT-26封装具有良好的散热性能,减少了元件在工作中的发热问题,有助于提高长时间运行的稳定性和可靠性。

应用场景

由于其优越的电气特性,DMN2004DMK-7被广泛应用于多种电子设计中。例如,它适用于电源开关、照明控制、正负电源切换、马达驱动等逻辑电平开关应用。此外,它也常用于电池管理系统、 GSM / CDMA 模块、以及其他需要高效率开关的设备中,成为设计师和工程师们的首选。

总结

DMN2004DMK-7是一款兼具高性能与理想功能的双N通道MOSFET,适合多种现代电子应用。凭借其低导通电阻、合理的工作电压与温度范围,以及便于表面贴装的优势,该器件能够满足高效能、高可靠性设计的需求。无论是在消费电子、工业设备,还是汽车电子领域,DMN2004DMK-7都能够发挥出色的作用。对于那些寻求可持续、经济效益与高性能解决方案的工程师与设计师而言,DMN2004DMK-7无疑是一个可靠且高效的选择。