晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 65V | 功率(Pd) | 300mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@2mA,5V | 特征频率(fT) | 175MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 15nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@100mA,5mA |
BCM856BSH 是一款高性能的 PNP 型双晶体管(BJT),专为各种电子应用而设计。其独特的电气特性和结构封装,使其在信号放大和开关应用中表现出色。基于 Nexperia(安世)的技术,该器件在多个行业中都具有广泛的适用性,特别是在便携式设备、消费电子和工业控制领域。
BCM856BSH 由于其优良的特性通用于多种领域:
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