制造商 | Infineon Technologies | 系列 | OptiMOS™ |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 125 毫欧 @ 2.8A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 520µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 1.8W(Ta),4.2W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
漏源电压(Vdss) | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20.2nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 790pF @ 30V |
ISP12DP06NMXTSA1 产品概述
ISP12DP06NMXTSA1 是一款由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的高性能 P 通道场效应管(MOSFET),隶属于其 OptiMOS™ 系列。这款器件以其卓越的电气特性与广泛的应用场景被广泛认可,尤其适用于高效能、低功耗的电源管理与开关应用。
产品规格和特性
ISP12DP06NMXTSA1 的关键特点之一是其功率处理能力。器件的最大的连续漏极电流(Id)为 2.8A,且在 25°C 环境温度下的导通电阻(Rds On)最大值为 125 毫欧(@ 2.8A,10V)。这些特性使其在应用中能够提供高效的电流传输,极大地降低了功率损耗和热量产生,确保了系统的稳定性与可靠性。
在工作电压方面,该器件的漏源电压(Vdss)最大值为 60V,相对舒适的电压处理能力,使得 ISP12DP06NMXTSA1 能够适用于多种中等电压的电子设备。栅源极间的最大驱动电压为 ±20V,这为设计者提供了便利,确保器件在开关操作中能保持良好的性能。
开关性能与温度范围
ISP12DP06NMXTSA1 的 Vgs(th)(栅源阈值电压)的最大值为 4V(@ 520µA),结合较高的栅极电荷(Qg)值为 20.2nC(@ 10V),使得该器件在驱动和调制控制方面表现出色。该 MOSFET 的输入电容(Ciss)最大值为 790pF(@ 30V),有助于提高开关频率,并减少开关损耗。
值得一提的是,这款器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,符合严苛环境条件下的应用需求。其优秀的散热性能(最大功耗为 1.8W(Ta),和 4.2W(Tc))使其能在高负载条件下稳定运行,适合各种工业和汽车应用。
封装与应用场景
ISP12DP06NMXTSA1 采用 SOT-223 持续贴合封装,这种小型化设计不仅节省了板级空间,同时也便于实现更高密度的电路布局。该器件的封装方式使其可以方便地集成到各种电子设备中,从电源开关、负载开关、至电池管理系统等,在嵌入式系统和消费类电子产品中均有广泛应用。
由于其高效能、低功耗和较高的温度适应性,ISP12DP06NMXTSA1 是电源管理、自动化设备、以及各种便携式设备设计中的理想选择。工程师们可以利用这一 MOSFET 的特性,优化设备的能效和散热性能,延长产品的使用寿命,并提升整体系统的可靠性。
总结
总的来说,ISP12DP06NMXTSA1 P 通道 MOSFET 具有出色的电气性能和极广泛的应用前景,适合各种现代电子设备与系统。无论是电源管理、电流开关还是负载控制,这款高效的器件都能为设计师提供强有力的支持,帮助他们更好地满足客户不断变化的需求。通过采用 ISP12DP06NMXTSA1,工程师能够在设计中寻求更高的整合度与更优的能效表现,从而推动技术的持续发展。