TL061IDR 产品实物图片
TL061IDR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

TL061IDR

商品编码: BM0083753011
品牌 : 
TI(德州仪器)
封装 : 
8-SOIC
包装 : 
编带
重量 : 
0.172g
描述 : 
FET输入运放 3.5V/us 3mV 30pA 1MHz SOIC-8
库存 :
1000(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.94
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.94
--
100+
¥1.5
--
1250+
¥1.3
--
2500+
¥1.24
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

TL061IDR参数

增益带宽积(GBP)1MHz输入偏置电流(Ib)30pA
输入失调电压(Vos)3mV压摆率(SR)3.5V/us
工作温度-40℃~+85℃

TL061IDR手册

TL061IDR概述

TL061IDR 产品概述

概要

TL061IDR 是由德州仪器 (TI) 制造的一款高性能、低噪声、J-FET 输入运算放大器。它以其优秀的电气特性和广泛的应用场景而闻名,特别适用于需要高输入阻抗和低噪声的电子系统。

基础参数

  • 放大器类型: J-FET (场效应管)
  • 电路数: 1
  • 压摆率: 3.5 V/µs
  • 增益带宽积: 1 MHz
  • 电流 - 输入偏置: 30 pA
  • 电压 - 输入补偿: 3 mV
  • 电流 - 供电: 200 µA
  • 电压 - 供电,单/双 ((\pm)): 7V ~ 36V,(\pm)3.5V ~ 18V
  • 工作温度: -40°C ~ 85°C
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装: 8-SOIC

特性和优势

高输入阻抗

TL061IDR 采用 J-FET 输入结构,具有极高的输入阻抗(典型值为(10^{12} \Omega)),这使得它在测量和信号处理应用中非常有用,尤其是在需要最小化信号源负载的情况下。

低噪声和低偏置电流

该运算放大器具有非常低的输入偏置电流(仅 30 pA),这对于高灵敏度的测量应用至关重要。同时,其低噪声特性进一步提高了系统的信噪比。

宽工作电压范围

TL061IDR 支持单电源工作(7V ~ 36V)以及双电源工作 ((\pm)3.5V ~ (\pm)18V),这使得它可以适应各种不同的系统设计需求。

高压摆率和增益带宽积

该运算放大器具有 3.5 V/µs 的高压摆率和 1 MHz 的增益带宽积,这使得它能够处理高速信号,并在许多频率范围内提供稳定的放大。

宽工作温度范围

TL061IDR 的工作温度范围从 -40°C 到 85°C,这使得它可以在各种环境条件下可靠运行,适用于工业、汽车和消费电子等多种领域。

小尺寸封装

采用 8 引脚 SOIC 封装,TL061IDR 非常适合现代电子产品的紧凑设计需求。这种表面贴装型封装简化了 PCB 布局和生产过程。

应用场景

精密测量设备

由于其高输入阻抗和低噪声特性,TL061IDR 非常适合用于精密测量设备,如电压表、电流表、信号处理仪等。

音频设备

在音频应用中,TL061IDR 可以用于前级放大、音频过滤器和音频处理单元,因为它提供了低噪声和高保真度的信号放大。

工业控制系统

该运算放大器也广泛应用于工业控制系统,例如传感器信号放大、数据采集系统以及自动化控制系统中。

医疗设备

在医疗领域,TL061IDR 可用于生物信号监测设备、医疗仪器等,确保高精度和低噪声信号处理。

使用注意事项

输入保护

由于 J-FET 输入结构对静电放电敏感,建议在处理和安装过程中采取适当的静电保护措施。

热管理

虽然 TL061IDR 具有宽工作温度范围,但在高温环境下仍需要进行适当的热管理,以确保器件的可靠性和寿命。

电源设计

确保供电电压在指定范围内,并考虑到可能的电源噪声对系统性能的影响。

总结

TL061IDR 是一款功能强大、性能优异的 J-FET 输入运算放大器,广泛应用于各种需要高输入阻抗和低噪声的电子系统。其宽工作电压范围、宽工作温度范围以及小尺寸封装,使其成为现代电子设计中的理想选择。通过了解其特性和应用场景,可以更好地利用 TL061IDR 实现高性能和高可靠性的电子产品。