类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 12V |
连续漏极电流(Id) | 5.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 34mΩ@4.5V,5.1A |
功率(Pd) | 1.36W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12.2nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.003nF@6V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 115pF@6V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介 DMC1030UFDBQ-7是一款高性能的互补型场效应管(MOSFET),集成了一个N沟道和一个P沟道的MOSFET,封装采用了U-DFN2020-6(2mm x 2mm)表面贴装型设计,适合于紧凑型和高效能的电路设计。这款MOSFET具有较低的导通电阻和良好的热管理性能,非常适合于功率开关、直流-直流转换器和其他高频应用场景。
关键参数
产品优势
应用场景 DMC1030UFDBQ-7适用于多种电子应用,具体包括但不限于:
总结 DMC1030UFDBQ-7是一款综合了高效能、可靠性与出色热管理特性的MOSFET,能够满足现代电子产品日益增长的性能需求。不论是在高频处理、功率管理还是严苛环境中,该元器件都能发挥其应有的作用。基于这些特性,DMC1030UFDBQ-7广泛适用于各种高性能电子设备,为设计工程师提供了更多可能性与灵活性。