DMC1030UFDBQ-7 产品实物图片
DMC1030UFDBQ-7 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMC1030UFDBQ-7

商品编码: BM0084959222
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
U-DFN2020-6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.36W 12V 5.1A 1个N沟道+1个P沟道 UDFN2020-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.31
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.31
--
3000+
¥1.24
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMC1030UFDBQ-7参数

类型1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)5.1A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)34mΩ@4.5V,5.1A
功率(Pd)1.36W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)12.2nC输入电容(Ciss@Vds)1.003nF@6V
反向传输电容(Crss@Vds)115pF@6V工作温度-55℃~+150℃

DMC1030UFDBQ-7手册

DMC1030UFDBQ-7概述

DMC1030UFDBQ-7 产品概述

产品简介 DMC1030UFDBQ-7是一款高性能的互补型场效应管(MOSFET),集成了一个N沟道和一个P沟道的MOSFET,封装采用了U-DFN2020-6(2mm x 2mm)表面贴装型设计,适合于紧凑型和高效能的电路设计。这款MOSFET具有较低的导通电阻和良好的热管理性能,非常适合于功率开关、直流-直流转换器和其他高频应用场景。

关键参数

  • 安装类型:表面贴装型
  • 最大导通电阻:34毫欧 @ 4.6A,4.5V,25°C
  • 连续漏极电流:5.1A
  • 漏源电压:12V
  • 输入电容 (Ciss):最大值1003pF @ 6V
  • 栅极电荷 (Qg):最大值23.1nC @ 10V
  • 阈值电压 (Vgs(th)):最大值1V @ 250µA
  • 功率最大值:1.36W
  • 工作温度范围:-55°C至150°C

产品优势

  1. 高效率:DMC1030UFDBQ-7的设计具有极低的导通电阻,使得在开关操作时能显著减少能量损耗,提升电路的整体能效。
  2. 宽广的工作温度:这款MOSFET的工作温度范围高达-55°C至150°C,能够在极端环境条件下稳定运行,适合于航空航天、汽车及工业应用。
  3. 小型封装:UDFN2020-6的小型化设计使得该元器件在空间受限的电路板上仍可灵活安置,符合现代电子产品对小型化的要求。
  4. 高频性能:低输入电容使得DMC1030UFDBQ-7在高频开关应用中的响应速度极快,适用于高开关频率的转换电路,降低了开关损耗。

应用场景 DMC1030UFDBQ-7适用于多种电子应用,具体包括但不限于:

  • 电源管理:在DC-DC变换器和电源模块中用作开关元件,实现电源的高效率转换。
  • 合成负载:在电动机驱动、电池管理和LED驱动器中提供强大的开关能力。
  • 汽车电子:用于车载电源系统中的功率转换和控制,确保在不同汽车运行条件下的稳定性。
  • 高频通讯:在无线通讯设备和网络基础设施中的功率放大及信号传输应用中确保信号质量与稳定性。

总结 DMC1030UFDBQ-7是一款综合了高效能、可靠性与出色热管理特性的MOSFET,能够满足现代电子产品日益增长的性能需求。不论是在高频处理、功率管理还是严苛环境中,该元器件都能发挥其应有的作用。基于这些特性,DMC1030UFDBQ-7广泛适用于各种高性能电子设备,为设计工程师提供了更多可能性与灵活性。