DMP210DUDJ-7 产品实物图片
DMP210DUDJ-7 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMP210DUDJ-7

商品编码: BM0084960002
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT963
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 330mW 20V 200mA 2个P沟道 SOT-963
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.656
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.656
--
10000+
¥0.614
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP210DUDJ-7参数

类型2个P沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)200mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.5Ω@100mA,4.5V
功率(Pd)330mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1.15V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)27.44pF@15V工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

DMP210DUDJ-7手册

DMP210DUDJ-7概述

产品概述:DMP210DUDJ-7

基本信息

DMP210DUDJ-7是一款由DIODES公司制造的双P沟道场效应管(MOSFET),采用表面贴装型(SMD)封装,型号为SOT-963。它设计用于高效率的电子控制和开关应用,广泛适用于需要低功耗、高性能的电路。这款MOSFET既能够满足现代电子产品的小型化需求,又具备良好的热稳定性和可靠性。

主要参数

  1. 安装类型: 表面贴装(SMD),适用于现代自动化焊接生产线,便于大规模生产和快速组装。
  2. 导通电阻: 在不同的漏极电流(Id)和栅极电压(Vgs)条件下,DMP210DUDJ-7的最大导通电阻为5.5欧姆(@100mA,4.5V),这使得它在开关电路中能量损耗低,效率高。
  3. 连续漏极电流: 最高可达200mA,满足中低功率应用中的电流需求。
  4. 漏源电压(Vdss): 它的漏源电压为20V,提供了足够的安全裕度,适用于多种电子应用。
  5. 功率: 最大功率可达330mW,适应多种低功率应用,高效处理电源管理。
  6. 输入电容 (Ciss): 在15V的条件下,最大输入电容为27.44pF。低输入电容使得在高频应用中信号处理更加迅速,有效降低了开关延迟。
  7. 阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为1.15V(@250µA),使得该MOSFET适用于逻辑电平门控制。

工作温度范围

DMP210DUDJ-7的工作温度范围为-55°C至150°C,该特性确保了其能在严苛的环境条件下保持稳定的性能。这一温度范围让它适合用于航天、汽车电子以及工业控制等应用领域。

应用领域

DMP210DUDJ-7适用于多个领域特别是对极低功耗与高开关效率有着严格要求的场合:

  • 开关电源: 能够有效地用于低功耗DC-DC转化器和线性稳压器。
  • 电机控制: 在小型电机和步进电机驱动应用中,能够提供高效开关控制,增强电机的驱动性能。
  • 移动设备: 适用于智能手机、平板电脑等便携式设备,能够减少电源管理模块的尺寸及功耗。
  • 汽车电子: 由于其优越的热稳定性和电气性能,可以广泛应用于汽车电力系统中。

结论

综上所述,DMP210DUDJ-7是一款高效、可靠且灵活的双P沟道MOSFET,凭借其优越的性能参数和广泛的应用潜力,使其成为现代便携式电子设备、汽车电子及工业控制系统中不可或缺的组件。它的设计旨在满足现代应用对小型化、高效率和高性能的需求,值得广大电子工程师和设计人员的青睐。