数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 6.5A;4.2A | 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,7.4A;45mΩ@10V,5.2A |
耗散功率(Pd) | 1.2W | 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V;5.1nC@4.5V | 输入电容(Ciss) | 501pF@15V;590pF@25V |
反向传输电容(Crss) | 53pF;57pF | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
类型 | N沟道+P沟道 | 输出电容(Coss) | 69pF;72pF |
DMC3025LSDQ-13 是一种高性能的场效应管(MOSFET),由美台电子(DIODES)制造。它结合了一个N沟道与一个P沟道 MOSFET,封装采用8-SOIC(SO-8)形式,适合于表面贴装组件使用。该产品的设计旨在满足对高效率和可靠性的要求,特别适合在功率管理、开关电源转换和电机驱动等应用场景下使用。
电气参数:
电容特性:
功耗特性:
工作环境:
封装特性:
DMC3025LSDQ-13 的设计使其广泛应用于:
DMC3025LSDQ-13 是一款综合性能优良的MOSFET,设计用于现代电子应用的高效能需求,尤其在功率管理和驱动控制方面展现出卓越的特性。凭借其小型化表面贴装封装以及宽广的工作温度范围,DMC3025LSDQ-13 将为客户提供灵活且可靠的解决方案,满足日益增长的高效能电子产品市场需求。