DMP3028LFDE-13 产品实物图片
DMP3028LFDE-13 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMP3028LFDE-13

商品编码: BM0084960042
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
U-DFN2020-6
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 660mW 30V 6.8A 1个P沟道 U-DFN2020-6-EP
库存 :
10000(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.962
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.962
--
100+
¥0.77
--
500+
¥0.699
--
2500+
¥0.647
--
5000+
¥0.617
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP3028LFDE-13参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.8A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)38mΩ@4.5V,5.0A
功率(Pd)660mW阈值电压(Vgs(th)@Id)2.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)1.86nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)165pF@15V工作温度-55℃~+150℃

DMP3028LFDE-13手册

DMP3028LFDE-13概述

DMP3028LFDE-13 产品概述

产品简介

DMP3028LFDE-13 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)出品。该器件设计用于各种功率管理和开关应用,具有优越的热性能和高效率,适合于现代电子设备中的电源管理和信号控制。

基本参数

DMP3028LFDE-13 的基础参数包括:

  • 类型: P 沟道 MOSFET
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 6.8A @ 25°C
  • 驱动电压: 适配于 4.5V 和 10V 的 Rds On 最小和最大值
  • 导通电阻(Rds On): 最大值为 32 毫欧 @ 7A,10V
  • 阈值电压(Vgs(th)): 最大 2.4V @ 250µA
  • 栅极电荷(Qg): 最大 22nC @ 10V
  • 输入电容(Ciss): 最大 1241pF @ 15V
  • 最大功率耗散: 660mW @ 25°C
  • 操作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 封装类型: U-DFN2020-6

设计特点

DMP3028LFDE-13 在多个方面具有显著优势,首先是其高效能的驱动特性,使其能够在较低的驱动电压下实现良好的导通性能。此外,超低的导通电阻(Rds On)确保了该器件在工作过程中能够有效减少功率损耗,从而提升了整体电源的效率。

广泛的工作温度范围(-55°C 到 150°C)使其适用于各种极端环境下的应用,包括汽车电子、消费电子以及工业设备。这种耐高温性能对于需要在恶劣环境下工作的电子电路至关重要。

应用场景

DMP3028LFDE-13 的 P 沟道特性使其在追求高效率和高密度设计的现代电源管理系统中的应用格外丰富。常见的应用场景包括:

  1. 电池供电设备: 在便携式设备中,该 MOSFET 可以作为开关元件,以实现高效的电源管理。

  2. 电源转换: 用于 DC-DC 转换器和电压调节电路,能够有效降低开关损耗,提高转换效率。

  3. 电机驱动: 支持各种电机控制应用,通过快速开关实现对电机的精确控制。

  4. LED 驱动电路: 适用于高效 LED 照明系统,能够有效控制输出电流,延长 LED 寿命。

  5. 自动化与控制系统: 在工业自动化和控制系统中,该器件可以作为信号调节和控制开关,确保系统稳定运行。

封装与安装

DMP3028LFDE-13 采用最新的 U-DFN2020-6 封装技术,适合表面贴装(SMD)工艺。这种封装结构能够有效提高电路小型化程度,同时也增强了散热性能,适合现代高密度电路板的使用要求。封装设计还兼顾焊盘布局,确保可靠的焊接性能。

总结

作为 DIODES(美台)推出的优质 P 沟道 MOSFET,DMP3028LFDE-13 在功率管理、电源转换及其它多种电子应用中具备竞争优势。凭借其卓越的性能和灵活的应用范围,这款 MOSFET 不仅满足了高效能的需求,同时也为设计者提供了极大的设计灵活性。无论是高端消费电子、工业设备还是自动化系统,DMP3028LFDE-13 都能够成为不可或缺的核心组件。