DMG2301LK-13 产品实物图片
DMG2301LK-13 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMG2301LK-13

商品编码: BM0084960043
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 840mW 20V 2.4A 1个P沟道 SOT-23-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.738
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.738
--
100+
¥0.508
--
500+
¥0.463
--
2500+
¥0.429
--
5000+
¥0.401
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMG2301LK-13参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@1A,4.5V
功率(Pd)1.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)3.4nC@10V输入电容(Ciss@Vds)476pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)45pF工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

DMG2301LK-13手册

DMG2301LK-13概述

DMG2301LK-13 产品概述

一、产品概述

DMG2301LK-13 是一款由知名电子元器件供应商 DIODES(美台)生产的 P 型通道 MOSFET(场效应管)。该器件采用 SOT-23(TO-236-3,SC-59)表面贴装型封装,具有出色的电气性能和抗环境能力,广泛适用于低功耗电子设备及各种电源管理应用。

二、核心参数

DMG2301LK-13 的主要规格参数如下:

  • 类型: P 通道 MOSFET
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 最大连续漏极电流(Id): 2.4A(在 25°C 时)
  • 驱动电压: 最小 1.8V,最大 4.5V,适应不同应用需求
  • 导通电阻(Rds On): 在 1A 和 4.5V 条件下,最大为 160 毫欧,确保低导通损耗
  • 阈值电压(Vgs(th)): 最大 1V @ 250µA,有助于器件在低压驱动下可靠工作
  • 栅极电荷(Qg): 最大值为 3.4nC @ 10V,表明其在开关时的高效能
  • 栅极-源极电压(Vgs): 最大 ±12V,提供更大的驱动灵活性
  • 输入电容(Ciss): 最大值为 156pF @ 6V,降低了开关时的能耗
  • 功率耗散(最大值): 840mW(在 25°C 环境下)
  • 工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C,适用于严苛环境
  • 封装类型: SOT-23,适合密集布置的印刷电路板(PCB)

三、应用领域

DMG2301LK-13 的设计使其非常适合多个应用场景:

  1. 电源管理: 该 MOSFET 的低导通电阻使其在电源开关中表现优异,能够有效降低功耗,延长电池寿命,广泛应用于便携式电子产品中。

  2. 负载开关: 作为负载开关控制器,DMG2301LK-13 能够快捷地打开和关闭负载,须要简单且高效的开关控制的场合。

  3. 高效电路: 由于其高电流承载能力和低导通损耗,该器件在DC-DC转换器、逆变器等高效电路中表现突出。

  4. 消费电子及工业控制: 由于具有宽广的工作温度范围和高可靠性,DMG2301LK-13 适用于消费电子产品(如智能手机、平板电脑)及工业自动化设备。

四、结论

DMG2301LK-13 是一款性能优越、适应性广泛的 P 型通道 MOSFET。凭借其高效的电流能力、低导通电阻以及良好的热管理能力,能够满足日益增长的电子设备功率和性能需求。其宽工作温度范围和出色的封装设计,使其在各类应用中显得尤为重要。无论是在电源管理、负载开关,还是在消费电子及工业控制领域,DMG2301LK-13 都展现出其强大的应用潜力,是设计师和工程师值得考虑的一款优秀器件。