类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 3.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@4.5V,2.8A |
功率(Pd) | 800mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 443pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 47pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP2110U-13 是一款由知名半导体制造商 DIODES(美台)出品的 P 型通道 MOSFET,封装类型为 SOT-23(TO-236-3),适用于各种电子电路设计,特别是在需要低导通电阻及高功率管理的应用场景中。该元器件的额定漏源电压为20V,并且提供了高达3.5A的连续漏电流能力,适合在宽广的温度范围内可靠工作。
电气参数:
工作阈值与控制特性:
栅极电荷(Qg): 最大值为6nC @ 4.5V,低栅极电荷意味着更快的开关速度,适合用于高速开关应用。
功率耗散与热管理:
安装与封装:
DMP2110U-13 适用于多种应用领域,包括但不限于:
DMP2110U-13 MOSFET凭借其优越的电气性能和广泛的应用适应性,是低电压、小型化电子产品的理想选择。其可靠的阈值电压、低导通电阻及良好的热特性,确保了在多种电子环境下的稳定运行。选择DMP2110U-13将为设计师提供灵活、高效的解决方案,应对当前电子行业日益增长的性能和功率管理需求。