集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 集电极电流(Ic) | 500mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@5mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 2V@20mA,0.3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@50mA,2.5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DDTB122TC-7-F 是一款高性能的 PNP 预偏置数字晶体管,具有出色的电气特性和广泛的应用潜力。该元器件封装为 SOT-23,采用表面贴装技术,方便在现代电子电路设计中集成和布局。凭借其工作电流最大值为 500mA,集射极击穿电压最大值为 50V,DDTB122TC-7-F 可以在多种电源电路和信号放大应用中表现出色。
高电流处理能力: DDTB122TC-7-F 支持最大 500mA 的集电极电流,适用于需要高电流驱动的应用场景,如电机驱动、灯光控制等。
较低的饱和压降: 其 Vce 饱和压降最大为 300mV,在较低的电流下(如 2.5mA 和 50mA),这意味着在开关状态下产生的功耗较低,有助于提高系统的整体效率。
高频响应: 规定的跃迁频率为 200MHz,确保其能够适应快速信号处理需求,适用于高频开关和放大应用,如 RF 放大器和开关电源。
小型化封装: SOT-23 封装使得 DDTB122TC-7-F 在尺寸上具有极大的优势,尤其适合空间受限的应用环境,满足了现代电子设备对小型化的趋势。
低截止电流: 其最大集电极截止电流仅为 500nA,保证了在静态情况下的低功耗,这在电池供电设备中尤为重要,有利于延长设备的续航时间。
DDTB122TC-7-F 可广泛应用于多个领域,包括,但不限于:
DDTB122TC-7-F 以其卓越的电气特性和小巧的封装,成为现代电子设计中的理想选择。无论是在高频开关电路还是在高效能放大电路中,这款 PNP 预偏置数字晶体管都能提供可靠的性能支持。凭借其广泛的应用领域,DDTB122TC-7-F 是电子工程师在产品设计中不可或缺的重要元器件之一。