DDTB122TC-7-F 产品实物图片
DDTB122TC-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DDTB122TC-7-F

商品编码: BM0084960467
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.016g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个PNP-预偏置 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.348
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.348
--
200+
¥0.225
--
1500+
¥0.196
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTB122TC-7-F参数

集射极击穿电压(Vceo)40V集电极电流(Ic)500mA
功率(Pd)200mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)2V@20mA,0.3V输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@50mA,2.5mA
工作温度-55℃~+150℃

DDTB122TC-7-F手册

DDTB122TC-7-F概述

DDTB122TC-7-F 产品概述

一、产品简介

DDTB122TC-7-F 是一款高性能的 PNP 预偏置数字晶体管,具有出色的电气特性和广泛的应用潜力。该元器件封装为 SOT-23,采用表面贴装技术,方便在现代电子电路设计中集成和布局。凭借其工作电流最大值为 500mA,集射极击穿电压最大值为 50V,DDTB122TC-7-F 可以在多种电源电路和信号放大应用中表现出色。

二、基本参数

  • 晶体管类型: PNP - 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic): 500mA
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大 50V
  • 基极电阻 (R1): 220 Ohms
  • 直流电流增益 (hFE): 最小 100 @ 5mA,5V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 最大 300mV @ 2.5mA,50mA
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大 500nA
  • 跃迁频率: 200MHz
  • 最大功率: 200mW
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供应商器件封装: SOT-23-3

三、产品特性

  1. 高电流处理能力: DDTB122TC-7-F 支持最大 500mA 的集电极电流,适用于需要高电流驱动的应用场景,如电机驱动、灯光控制等。

  2. 较低的饱和压降: 其 Vce 饱和压降最大为 300mV,在较低的电流下(如 2.5mA 和 50mA),这意味着在开关状态下产生的功耗较低,有助于提高系统的整体效率。

  3. 高频响应: 规定的跃迁频率为 200MHz,确保其能够适应快速信号处理需求,适用于高频开关和放大应用,如 RF 放大器和开关电源。

  4. 小型化封装: SOT-23 封装使得 DDTB122TC-7-F 在尺寸上具有极大的优势,尤其适合空间受限的应用环境,满足了现代电子设备对小型化的趋势。

  5. 低截止电流: 其最大集电极截止电流仅为 500nA,保证了在静态情况下的低功耗,这在电池供电设备中尤为重要,有利于延长设备的续航时间。

四、应用场景

DDTB122TC-7-F 可广泛应用于多个领域,包括,但不限于:

  • 消费电子: 适用于智能手机、平板电脑、相机等产品中的音频放大、开关电源和信号调理电路。
  • 工业设备: 用于控制电机、驱动灯光和其它高负载设备,满足工业自动化和控制系统对可靠性的要求。
  • 通信设备: 在无线通信、数据传输和信号处理模块中,提供稳定的信号放大和转换功能。
  • 汽车电子: 适用于车载音响、电动窗控制以及其他电子控制模块,确保设备在恶劣工作环境中的稳定性。

五、总结

DDTB122TC-7-F 以其卓越的电气特性和小巧的封装,成为现代电子设计中的理想选择。无论是在高频开关电路还是在高效能放大电路中,这款 PNP 预偏置数字晶体管都能提供可靠的性能支持。凭借其广泛的应用领域,DDTB122TC-7-F 是电子工程师在产品设计中不可或缺的重要元器件之一。