APT13003LZTR-G1
APT13003LZTR-G1参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 800mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 450V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 40mA，200mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 6 @ 300mA，10V | 功率 - 最大值 | 800mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） | 供应商器件封装 | TO-92 |
APT13003LZTR-G1手册
APT13003LZTR-G1概述
APT13003LZTR-G1 产品概述
APT13003LZTR-G1是一款高性能NPN晶体管，广泛应用于各种电子电路设计中。作为一种重要的电子元器件，该晶体管的设计旨在实现高效的信号放大和开关功能，适应不同的工作条件和电路需求。下面将对其各项基本参数、应用场景以及优势进行详细介绍。
基本参数
APT13003LZTR-G1的关键参数如下：
- 晶体管类型: NPN
- 最大集电极电流 (Ic): 800mA
- 集射极击穿电压 (Vce): 最大可达450V
- Vce饱和压降: 在Ic为40mA，200mA时，饱和压降最大为500mV，体现了良好的导电性能。
- DC电流增益 (hFE): 在300mA和10V下，最小增益为6，确保在信号放大时具有良好的效率。
- 最大功率: 800mW，意味着该晶体管可以承受相对较大的功率负载。
- 工作温度范围: -55°C至150°C，保证在极端环境条件下的可靠性。
- 安装类型: 通孔，适应性强，便于与各种电路板的连接。
- 封装类型: TO-226-3和TO-92-3，标准化的封装形式增加了与其他电子元件的兼容性，同时便于散热和安装。
应用场景
APT13003LZTR-G1适用于多个领域的电路设计，特别是在以下几个场景中表现优异：
开关电源: 由于其高电压承受能力和较大的集电极电流，APT13003LZTR-G1可以有效用于开关电源设计，帮助实现高效的电力转换。
信号放大器: 该晶体管的高电流增益特性，使得在各类音频和视频信号放大器中有着良好的应用，不仅提高信号质量，而且增强输出功率。
高频开关: 适合用于高频开关电路，能够在快速的开关操作中保持稳定的性能。
电机驱动: 在需要控制电机的场合，APT13003LZTR-G1凭借其高承载电流和良好的耐压能力，能够有效驱动各类小型电机。
工业控制: 在需要进行信号调节和开关控制的工业设备中，也能够发挥重要作用，确保设备的可靠运行。
优势
APT13003LZTR-G1在众多晶体管中脱颖而出的优势主要体现在以下几个方面：
高耐压和高电流能力: 其450V的击穿电压和800mA的最大集电极电流，使其在工业应用中更加可靠，能够承受较大的瞬态电压和电流。
卓越的功率处理能力: 800mW的功率处理能力确保了晶体管在高负载情况下的持续运行，使设备在使用过程中更具稳定性。
广泛的工作温度范围: 能够在-55°C至150°C之间正常工作，适应各类环境，尤其是在温度变化较大的应用场合。
便捷的安装方式: 采用通孔封装方式，简化了焊接操作，提升了在电路板上的安装稳定性。
总结
APT13003LZTR-G1是一款具有卓越性能的NPN晶体管，凭借其高电流承载能力、高耐压特性及广泛的应用范围，成为电子设计师和工程师在进行电路设计时的理想选择。无论是在开关电源、信号放大还是电机驱动等多个领域，其可靠性和高效性能都能够满足用户的需求，进一步推动电子技术的发展和应用。