晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 2.2 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 39 @ 50mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
1. 概述
DDTB123EC-7-F 是美台公司的高性能 PNP 晶体管,采用表面贴装型(SMD)封装,特别适用于紧凑的电路设计。该元器件具备良好的电流放大特性和稳定的工作性能,广泛应用于开关电路、信号处理和音频放大等领域。
2. 基本特性
3. 电性能参数
4. 热性能
5. 物理封装
6. 应用领域
由于其卓越的性能,DDTB123EC-7-F 可以应用于多种领域,包括:
7. 总结
DDTB123EC-7-F 以其优异的电气性能和小巧的封装形式,成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是在品质、性能还是在可靠性方面,它都能够满足各种应用的需求。凭借其灵活的应用范围,这款 PNP 晶体管将继续在信息技术、通信设备及工业控制等多个领域发挥重要作用。