晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
DDTB114TU-7-F 是由美台丁达电子(DIODES)公司推出的一款表面贴装型PNP晶体管,适用于多种电子电路的驱动和放大应用。该器件采用SOT-323封装,使其在紧凑型电路设计中尤为合适。凭借其优异的电气性能和可靠性,DDTB114TU-7-F广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
晶体管类型: PNP 预偏压
电流 - 集电极 (Ic) 最大值: 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
基极电阻R1: 10 kOhms
增益 (hFE): 最小100 @ 5mA, 5V
饱和压降 (Vce): 最大300mV @ 2.5mA, 50mA
集电极截止电流 (ICBO): 最大500nA
频率 - 跃迁: 200MHz
功率 - 最大值: 200mW
安装类型/封装: 表面贴装型 / SOT-323
DDTB114TU-7-F 由于其特有的电气性能,使其能够广泛应用于以下几个领域:
消费电子:
通信设备:
工业控制:
在使用DDTB114TU-7-F进行电路设计时,应注意以下几点:
DDTB114TU-7-F是一个性能优越、灵活应用的PNP型晶体管,凭借其高增益、低饱和压降及小封装形式,成为设计工程师在中低功率应用中的优选元件。通过适当的电路设计及考虑其特性,DDTB114TU-7-F能够在多种电子设备中发挥关键作用。