反向截止电压(Vrwm) | 6V | 最大钳位电压 | 23V |
峰值脉冲功率(Ppp) | 260W | 击穿电压 | 6.8V |
工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) | 类型 | ESD |
T6V0S5-7 是 DIODES(美台)公司推出的一款高性能齐纳二极管,专为提供反向电压稳压和过电压保护而设计,广泛应用于电子设备的电源管理和信号保护等领域。其设计不仅确保了优异的电气性能,还通过表面贴装(SMD)封装使其在电路板上的安装更加便捷,适合现代电子产品的高密度设计需求。
反向电压: T6V0S5-7 的反向断态电压典型值为 6V,最小击穿电压为 6.8V,适合用于需要优化反向电压阈值的应用。该特性使得该元器件非常适合为微电子电路提供保护,防止电压波动导致的损坏。
电压箝位: 不同 Ipp(峰值脉冲电流)情况下,该元器件具有高达 23V 的电压箝位水平,意味着它能够在瞬态过电压事件中提供有效保护,确保下游电路的安全性和稳定性。
脉冲特性: T6V0S5-7 支持峰值脉冲电流可达 15A,且具备高功率峰值能力(260W),使其能够处理临时的电流冲击而不发生失效。这一特性在电源线路和负载突波保护中显得尤为重要。
频率响应: 该器件的输入电容在频率 1MHz 时为 90pF,适合高频电子应用,特别是处理快速信号变化的场合。这使得 T6V0S5-7 可以被有效应用于各种高速数字电路和射频应用中。
耐温性: T6V0S5-7 工作温度范围广泛,从 -65°C 到 150°C,意味着其可以在极端环境条件下长时间稳定工作,增强了其应用的灵活性和可靠性。
封装设计: 封装类型为 SOD-523,属于小型化、表面贴装设计,适合高密度电路板的使用需求。此封装形式不仅体积小,且具备良好的散热性能,符合现代电子产品对空间和性能的双重要求。
T6V0S5-7 齐纳二极管在多种应用场景中展现出优异性能,主要包括:
综上所述,T6V0S5-7 齐纳二极管凭借其优异的电气性能、广泛的工作温度范围和小巧的封装设计,成为了现代电子设备中必不可少的维护元件。无论是在电源管理、信号保护还是在高频应用中,均能提供可靠的解决方案。选择 T6V0S5-7,将为您的产品带来更高的保护性能和更稳定的运行环境。