晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 470 Ohms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
DDTD142TC-7-F 是美台公司(DIODES)推出的一款高性能 NPN 晶体管,采用 SOT-23-3 表面贴装封装。这款晶体管凭借其优越的电气特性和可靠性,广泛应用于各类电子电路,如开关电源、信号放大、射频应用及数字电路等。这款器件的设计理念是为了满足现代电子产品对小型、高效能及低功耗的需求,特别适合于恒流源、控制电路以及各种汽车应用。
集电极电流(Ic):最大500mA 的集电极电流使得 DDTD142TC-7-F 适用于高功率应用,如电动机驱动和大电流开关。
击穿电压(Vce):50V 的击穿电压允许其在相对较高电压的环境中稳定工作,从而适合用于电源管理和工业设备。
直流电流增益(hFE):该器件在较低的基极电流下能够提供高达100的电流增益,这意味着在相同的基极电流下,能够控制更大的集电极电流,从而提高电路的驱动能力。
饱和压降:300mV 的最大饱和压降意味着在开关操作期间,器件能有效降低功耗,提升整体电路的能效。
截止电流:500nA 的集电极截止电流保证了在待机状态下的低功耗特性,这为便携式和低功耗设备创造了更长的电池寿命。
频率特性:高达200MHz 的跃迁频率使得该器件适用于高频应用,如射频放大器和高速开关电路。
DDTD142TC-7-F 的特色和优势使其适用于多种应用场合:
DDTD142TC-7-F NPN 晶体管凭借其卓越的电气性能和多种实用特性,已经成为电子设计工程师和制造商的理想选择。由于其良好的增益特性、耐高压能力、和低功耗特性,它能够满足现代电子产品日益增长的性能需求,适用于各类高频和高功率应用。随着技术的发展,DDTD142TC-7-F 将继续在电子元器件市场中发挥重要作用。