注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DDTD114EU-7-F
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT323
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
晶体管 双极 (BJT) 单，预偏置) NPN 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.445按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.445
--
200+
￥0.287
--
1500+
￥0.25
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DDTD114EU-7-F参数
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 56 @ 50mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
DDTD114EU-7-F手册
DDTD114EU-7-F概述
DDTD114EU-7-F 产品概述
一、产品简介 DDTD114EU-7-F 是一款由 DIODES (美台半导体) 出品的 NPN 型晶体管，专为各种低功率放大和开关应用而设计。其表面贴装型 (SMD) 封装使其易于集成到各类电子电路中，适用于空间有限的现代电子设备。该器件在高频应用中表现卓越，频率跃迁可达到 200MHz，为设计师提供更多灵活性。此外，DDTD114EU-7-F 具有较为出色的直流电流增益 (hFE)，可实现高效的信号放大。
二、主要规格
- 晶体管类型：DDTD114EU-7-F 属于 NPN 型预偏压晶体管，适合各种信号处理和开关应用。
- 电流 - 集电极 (Ic) 最大值：500mA。这一参数适合中小功率的应用。
- 电压 - 集射极击穿 (Vce) 最大值：50V，确保了在较高电压的环境下，器件也能稳定工作。
- 电流 - 集电极截止：最大值为 500nA，这表明其在断态时的漏电流非常小，保证了较高的开关效率。
- 直流电流增益 (hFE)：在 50mA 和 5V 的条件下，最小值为 56，这一参数保证了在相应的工作条件下，DDTD114EU-7-F 能够提供良好的增益特性，适合信号放大用途。
- 基极电阻 (R1) 和 发射极电阻 (R2) 均为 10 kΩ，进一步增强了其在开关电路中的适应能力。
- Vce 饱和压降：在 2.5mA 和 50mA 的条件下，最大值为 300mV。这一特性可确保在工作于饱和区时，晶体管的开关损耗非常低。
- 功率 - 最大值：200mW，这显示了器件在处理功率时的能力和稳定性。
- 频率 - 跃迁：200MHz，能够进行高频信号处理，非常适合于 RF 和高速数字电路。
三、封装与安装 DDTD114EU-7-F 采用SOT-323 封装，其尺寸小巧，适合在需要紧凑设计的电子产品中使用。表面贴装型的设计，可以轻松实现自动化贴装，提高生产效率。同时，SOT-323 封装对于热管理和信号完整性也提供了一定的优势。
四、应用领域
- 消费电子：包括音频放大器、收音机、电视等。
- 通信设备：如无线设备、数据传输模块等。
- 工业控制：广泛应用于低功率集成电路驱动和信号处理。
- 自动化及智能家居：可用于传感器信号的放大和处理，提升设备的智能化水平。
五、竞争优势 DDTD114EU-7-F 通过其优异的电气规格，如高增益、低饱和压降和出色的频率响应，提供了较为优越的性能优势。此外，DIODES 作为成熟的半导体供应商，保证了设备的可靠性与稳定性，进一步增强了其在市场上的竞争力。
六、总结 总体而言，DDTD114EU-7-F 是一款高性能、宽范围应用的 NPN 晶体管，具备理想的电气特性和良好的热管理能力，适合应用于多种现代电子产品。无论是在音频放大还是数据通信领域，DDTD114EU-7-F 都能以其出色的性能满足设计师的需求，为最终产品带来较高的性价比。