DDTD123YU-7-F 产品实物图片
DDTD123YU-7-F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTD123YU-7-F

商品编码: BM0086146169
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
晶体管 双极 (BJT) 单,预偏置) NPN 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.445
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.445
--
200+
¥0.287
--
1500+
¥0.25
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTD123YU-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)56 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁200MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

DDTD123YU-7-F手册

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DDTD123YU-7-F概述

DDTD123YU-7-F 产品概述

一、产品简介

DTD123YU-7-F 是一款高性能的 NPN 型双极晶体管(BJT),广泛应用于各种电子电路中。此产品特别设计用于高频和高效能的电子应用,特别是在 RF(射频)应用、开关电路和小信号放大电路中表现出色。基于其卓越的性能,DTD123YU-7-F 成为现代电子产品中不可或缺的元器件之一。

二、关键参数

  1. 晶体管类型:NPN 预偏压
  2. 最大集电极电流(Ic):500mA
  3. 集射极击穿电压(Vce(max)):50V
  4. 频率跃迁:高达200MHz,大大增强了在高频率信号放大的能力。
  5. 最大功率:200mW,确保在各种负载下稳定运行。
  6. 电流增益(hFE):在 50mA 和 5V 时最小值为 56,提供良好的信号放大能力。
  7. 饱和压降(Vce(sat)):在 2.5mA 和 50mA 的工作条件下,最大值为 300mV,确保低功耗和高效率。
  8. 基极电阻(R1)和发射极电阻(R2):分别为 2.2 kOhms 和 10 kOhms,优化了工作点和增益特性。
  9. 截止电流(Ic(off)):最大值为 500nA,能够有效减少静态功耗。
  10. 封装类型:SOT-323(SC-70),便于进行表面贴装,适用于现代微型化电子产品。

三、主要应用

DTD123YU-7-F 的设计使其非常适合以下几种应用场景:

  1. 射频放大器:由于其高频性能,适用于 RF 放大器及接收器电路,为信号提供充分的放大。
  2. 开关电路:高度可靠的开关性能使其非常适合用于功率开关和逻辑电路中,以实现负载控制。
  3. 小信号放大:在音频设备和传感器电路中,可以用于信号的细微放大。
  4. 线性放大更广泛应用:在电子测量和控制系统中,表现出色。

四、封装及安装

DTD123YU-7-F 采用 SOT-323 封装,适合表面贴装,具备小型化的优势,极大地节省了电路板的空间,同时也使得自动化生产装配得以高效进行。这种封装形式在现代电子产品中非常普遍,易于实现高密度布局。

五、性能优势

  1. 高频性能:200MHz 的频率跃迁使这个元器件在高频应用中表现优异。
  2. 低静态功耗:500nA 的截止电流保证了在关闭状态下极低的功耗,适用于能耗敏感的设计。
  3. 高集电极电流支持:最大 500mA 的电流能力使其能够驱动多种负载而不易损坏。
  4. 可靠性:该器件来自 DIODES(美台)品牌,享有良好的市场声誉和可靠性,确保其在各类应用中的长期稳定性。

六、总结

DTD123YU-7-F 作为一款 NPN 型双极晶体管,不仅具备卓越的电性能和极高的工作稳定性,同时灵活多样的应用场景使其在现代电子产品设计中发挥着重要作用。无论是用于高频放大器,还是用于简单的开关电路,其优越的性能使其都能够出色完成任务。依托 DIODES 品牌的技术背景与可靠性,这款晶体管无疑将成为电子工程师在设计和开发过程中值得信赖的选择。