晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 50mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | SOT-323 |
DTD123YU-7-F 是一款高性能的 NPN 型双极晶体管(BJT),广泛应用于各种电子电路中。此产品特别设计用于高频和高效能的电子应用,特别是在 RF(射频)应用、开关电路和小信号放大电路中表现出色。基于其卓越的性能,DTD123YU-7-F 成为现代电子产品中不可或缺的元器件之一。
DTD123YU-7-F 的设计使其非常适合以下几种应用场景:
DTD123YU-7-F 采用 SOT-323 封装,适合表面贴装,具备小型化的优势,极大地节省了电路板的空间,同时也使得自动化生产装配得以高效进行。这种封装形式在现代电子产品中非常普遍,易于实现高密度布局。
DTD123YU-7-F 作为一款 NPN 型双极晶体管,不仅具备卓越的电性能和极高的工作稳定性,同时灵活多样的应用场景使其在现代电子产品设计中发挥着重要作用。无论是用于高频放大器,还是用于简单的开关电路,其优越的性能使其都能够出色完成任务。依托 DIODES 品牌的技术背景与可靠性,这款晶体管无疑将成为电子工程师在设计和开发过程中值得信赖的选择。