类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 170mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3Ω@10V,170mA |
功率(Pd) | 265mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.4nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 20pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.5pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
NX138AKSX 是一款高性能的双 N 通道 MOSFET,专为需要较高效率、低导通电阻和广泛工作温度范围的应用设计。其最大阻抗值为 4.5 欧姆,能够承受连续漏极电流 170mA,漏源电压高达 60V,适用于各种低电压高电流的电源开关和信号处理电路。这款元器件的封装类型为 6-TSSOP,具备出色的热管理性能,是现代电子设备中不可或缺的一部分。
NX138AKSX 的性能参数如下:
该 MOSFET 采用表面贴装(SMD)技术,提供了高密度布局的灵活性,加快了自动化生产的速度。其 6-TSSOP 封装格式,体积小巧,适合现代便携式电子设备,支持高效能和高可靠性。
NX138AKSX 的广泛适用性使其成为多个领域的理想选择,包括:
相较于市场上的同类产品,NX138AKSX 在导通电阻和栅极阈值电压方面表现优异,其高工作温度和高可靠性设计增加了在苛刻环境下的适用性。此外,安世半导体(Nexperia)作为行业内的知名品牌,提供稳定的产品质量和良好的技术支持,使 NX138AKSX 成为可靠的选择。
NX138AKSX 是一款性能卓越的双 N 通道 MOSFET,适用于各种电源管理和信号开关应用。其优异的小型化封装和高效率特性,使其在现代电子产品中具备广泛的适用潜力。随着技术的不断进步,对 MOSFET 的需求将持续增长,而 NX138AKSX 无疑将为设计工程师提供可靠的解决方案。