PMPB07R0UNX 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PMPB07R0UNX

商品编码: BM0089665216
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
6-UDFN 裸露焊盘
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.9W;12.5W 20V 11.6A 1个N沟道 DFN2020MD-6
库存 :
433(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
1.49
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.49
--
100+
¥1.19
--
750+
¥1.06
--
1500+
¥1
--
3000+
¥0.949
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMPB07R0UNX参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)11.6A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9mΩ@11.6A,4.5V
功率(Pd)1.9W;12.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)1.696nF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

PMPB07R0UNX手册

PMPB07R0UNX概述

PMPB07R0UNX 产品概述

PMPB07R0UNX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,属于其 TrenchMOS™ 系列。这款场效应管为现代电子电路设计提供了杰出的性能,适用于电源管理、负载开关以及其他高效能应用。

关键特点

  1. 高电流承载能力
    PMPB07R0UNX 在 25°C 条件下的连续漏极电流 (Id) 达到 11.6A,这使得该 MOSFET 能够广泛应用于需要处理较大电流的电路中。

  2. 低导通电阻
    在 4.5V 的栅源电压 (Vgs) 下,PMPB07R0UNX 的导通电阻最大值为 9 毫欧,这一特性确保了在导通状态下的能量损耗非常低,从而提高了整体系统的能效。

  3. 宽工作温度范围
    该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,适合在不同环境条件下的应用,尤其是汽车电子、工业控制和军事领域。

  4. 高电压耐受性
    PMPB07R0UNX 的漏源电压 (Vdss) 最大可以承受 20V,保证了在通过电流时的稳定性与可靠性。

  5. 超低栅极电荷
    此器件在 4.5V 下的栅极电荷最大为 30nC,这一特性能够提高开关速度,从而减少了切换损失。

封装与安装

PMPB07R0UNX 采用 6-UDFN 裸露焊盘封装,其紧凑的尺寸和表面贴装(SMD)设计使得在现代电子设计中易于集成,适合高密度电路板布局。该封装能够有效散热,支持其在高性能工作条件下长时间稳定运行。

应用场景

由于其卓越的电气性能和极高的热管理能力,PMPB07R0UNX 广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源管理:适用于 DC-DC 转换器、开关电源以及电池管理系统,实现高效能的电流控制和调节。

  • 负载开关:可作为负载开关使用,提供稳定、可靠的电流路径,保障系统的安全运行。

  • 逆变器:在太阳能逆变器和电动机驱动应用中,PMPB07R0UNX 提供了必要的开关能力,提高系统效率。

  • 汽车电子:能够承受汽车工作环境中的严酷条件,非常适合在汽车电力控制系统中的应用如智能电动门、灯光控制等。

总结

总的来说,PMPB07R0UNX 是一款性能极为优越的 N 通道 MOSFET,凭借其出色的电流承载能力、超低导通电阻、极宽的工作温度范围以及高电压耐受性,成为诸多要求高效能与可靠性的应用场景的理想选择。在现代电子设计中,选用 PMPB07R0UNX 能够显著提升产品的性能与稳定性。